[发明专利]用于以高选择性刻蚀电介质阻挡层的方法无效
| 申请号： | 200780010190.3 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101405844A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 肖莹;格拉多·A·戴戈迪诺;卡斯特恩·施奈德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵 飞;南 霆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于以相对于电介质块绝缘层的高选择性来刻蚀电介质阻挡层的方法。在一种实施例中，该方法包括：在反应器中提供衬底，衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；将包含H2的气体混合物流入反应器中；以及相对于电介质块绝缘层选择性地刻蚀电介质阻挡层的暴露部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 刻蚀 电介质 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于刻蚀互连结构中的电介质阻挡层的方法，包括：在反应器中提供衬底，所述衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；将至少包含H2的气体混合物流入所述反应器中；以及相对于所述电介质块绝缘层选择性地刻蚀所述电介质阻挡层的暴露部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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