[发明专利]用于以高选择性刻蚀电介质阻挡层的方法

权利要求书

1.一种用于刻蚀互连结构中的电介质阻挡层的方法，包括：

在反应器中提供衬底，所述衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；

将至少包含H₂的气体混合物流入所述反应器中；以及

相对于所述电介质块绝缘层选择性地刻蚀所述电介质阻挡层的暴露部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将气体混合物流入的步骤还包括：

伴随着所述H₂气体而将含氟气体流入所述反应器中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将气体混合物流入的步骤还包括：

将至少一种惰性气体流入所述反应器中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述将气体混合物流入的步骤还包括：

以5sccm至约100sccm之间的流速流入所述H₂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述刻蚀步骤还包括：

将处理压力维持在约10mTorr至约200mTorr之间；

将衬底温度控制在约0摄氏度至约50摄氏度之间；和

施加约100瓦特至约800瓦特之间的等离子体功率。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述将含氟气体流入的步骤还包括：

以约0sccm至约80sccm之间的流速流入所述含氟气体。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述含氟气体选自由CH₂F₂、CHF₃、CH₃F、C₂F₆、CF₄和C₃F₈组成的组。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述将惰性气体流入的步骤还包括：

以50sccm至约500sccm之间的流速流入所述惰性气体。

9.根据权利要求3所述的方法，其中，所述惰性气体选自由Ar、O₂、CO、NO、N₂O、He和N₂组成的组。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质阻挡层具有小于5.5的介电常数，所述电介质绝缘层具有小于4的介电常数。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质层是含碳硅膜。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

除去所述暴露的电介质阻挡层；和

使所述衬底上的所述电介质阻挡层下方布置的下方导电层暴露。

13.一种用于形成互连结构中的电介质阻挡层的方法，包括：

在反应器中提供衬底，所述衬底具有经过电介质块绝缘层而暴露的一部分电介质阻挡层；

将包含H₂气体和含氟气体的气体混合物流入所述反应器中；以及

在由所述气体混合物形成的等离子体存在的情况下刻蚀所述电介质阻挡层的暴露部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述将气体混合物流入的步骤还包括：

以约5sccm至约100sccm之间的流速流入所述H₂气体；和

以约0sccm至约80sccm之间的流速流入含氟气体。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述将气体混合物流入的步骤还包括：

将至少一种惰性气体流入所述反应器中，其中，所述惰性气体被以约50sccm至约500sccm之间的流速流入。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述含氟气体选自由CH₂F₂、CHF₃、CH₃F、C₂F₆、CF₄和C₃F₈组成的组。