[发明专利]薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质有效
| 申请号： | 200780009277.9 | 申请日： | 2007-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101405869A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 林享;安部胜美;佐野政史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管至少具有半导体层，包括：在基片上的源电极、漏电极和沟道区；栅绝缘膜；和栅电极，其中所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝栅电极侧降低。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 氧化物 半导体 有氧 浓度梯度 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：在基片上包含源电极、漏电极和沟道区的半导体层；栅绝缘膜；和栅电极，其中，所述半导体层是氧化物半导体层，并且其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，并且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在与所述氧化物半导体层的界面侧高，而氧浓度朝所述栅电极侧降低。
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