[发明专利]薄膜晶体管、显示器件氧化物半导体和具有氧浓度梯度的栅电介质有效
| 申请号： | 200780009277.9 | 申请日： | 2007-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101405869A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 林享;安部胜美;佐野政史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 器件 氧化物 半导体 有氧 浓度梯度 电介质 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，在基片上包括：源电极、漏电极、由半导体层制成的沟道区、栅绝缘膜和栅电极，
其中，所述半导体层是氧化物半导体层，
其中，所述栅绝缘膜是至少包含O和N的非晶硅，并且所述栅绝缘膜沿厚度方向具有氧浓度分布，使得氧浓度在所述栅绝缘膜与所述氧化物半导体层之间的界面侧高，而氧浓度朝所述栅电极侧降低，并且
其中，所述栅绝缘膜由一个层构成，并且在所述栅绝缘膜中没有界面。
2.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中，所述半导体层是包含In、Zn和O的氧化物半导体层。
3.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中，所述半导体层还包含选自由Ga、Al、Fe、Sn、Mg、Ca、Si和Ge构成的组中的至少一种，并且所述半导体层是阻抗值小于1010Ω·cm的非晶氧化物。
4.一种显示器件，该显示器件在基片上包括显示元件和根据权利要求1的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管的源电极或漏电极连接到所述显示元件的电极。
5.根据权利要求4的显示器件，其中，所述显示元件是电致发光元件。
6.根据权利要求4的显示器件，其中，所述显示元件是液晶单元。
7.根据权利要求4的显示器件，其中，多个所述显示元件和多个所述薄膜晶体管在所述基片上二维布置。
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