[发明专利]具有至少一种谐振腔模式形状的MEMS谐振器有效
| 申请号： | 200780008457.5 | 申请日： | 2007-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101401303A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 马克·斯沃洛斯基;帕特里·加芒;帕斯卡·菲利普 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括：具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其中，谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，其特征在于谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，第一沟槽(3)位于第二沟槽(3)内，以便在衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从衬底(2)释放谐振器结构(1)。本发明还涉及制造这种MEMS谐振器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 至少 一种 谐振腔 模式 形状 mems 谐振器 | ||
【主权项】：
1、一种具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其特征在于，所述谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，并且其特征还在于所述谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，所述第一沟槽(3)位于所述第二沟槽(3)内，以便在所述衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从所述衬底(2)释放所述谐振器结构(1)。
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