[发明专利]存储元件以及半导体器件有效
| 申请号： | 200780008401.X | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101401209A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 汤川干央;杉泽希 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L29/786;H01L27/10;H01L51/05 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个目的在于减少各存储元件性态的变化。此外，本发明的另一个目的是获得其上装有存储元件的、性能和可靠性方面优越的半导体器件。本发明的存储元件在其结构中包括第一导电层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中半导体层和有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间，且半导体层被形成为与第一导电层和/或第二导电层相接触。使用这种结构，各存储元件性态中的变化减少。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种存储元件，包括：第一导电层；半导体层；有机化合物层；以及第二导电层，其中所述半导体层和所述有机化合物层夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间，且其中所述半导体层与所述第一导电层相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
