[发明专利]存储元件以及半导体器件

权利要求书

1.一种存储元件，包括：

第一导电层；

第一半导体层；

有机化合物层；

第二半导体层；以及

第二导电层，

其中所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述有机化合物层夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间，

其中所述第一半导体层与所述第一导电层相接触，

所述第二半导体层与所述第二导电层相接触，

其中绝缘体被混合到所述有机化合物层中，并且

其中所述有机化合物层的厚度为5nm至100nm。

2.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的至少之一是不连续层。

3.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的至少之一是连续层。

4.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的至少之一具有凹陷和凸起。

5.一种存储元件，包括：

第一导电层；

颗粒；

有机化合物层；以及

第二导电层，

其中所述颗粒和所述有机化合物层夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间，

其中所述颗粒与所述第一导电层相接触并由半导体构成，

其中绝缘体被混合到所述有机化合物层中，并且

其中所述有机化合物层的厚度为5nm至100nm。

6.一种存储元件，包括：

第一导电层；

第一颗粒；

第二颗粒；

有机化合物层；以及

第二导电层，

其中所述第一颗粒、第二颗粒和所述有机化合物层夹在所述第一导电层和所述第二导电层之间，

其中所述第一颗粒与所述第一导电层相接触并由半导体构成，

所述第二颗粒与所述第二导电层相接触并由半导体构成，

其中绝缘体被混合到所述有机化合物层中，并且

其中所述有机化合物层的厚度为5nm至100nm。

7.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述有机化合物层的电阻随着电压的施加而改变。

8.如权利要求5所述的存储元件，其特征在于，所述有机化合物层的电阻随着电压的施加而改变。    

9.如权利要求6所述的存储元件，其特征在于，所述有机化合物层的电阻随着电压的施加而改变。

10.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述有机化合物层由电子传输材料或空穴传输材料形成。

11.如权利要求5所述的存储元件，其特征在于，所述有机化合物层由电子传输材料或空穴传输材料形成。

12.如权利要求6所述的存储元件，其特征在于，所述有机化合物层由电子传输材料或空穴传输材料形成。

13.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的多个部分相连。

14.如权利要求5所述的存储元件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的多个部分相连。

15.如权利要求6所述的存储元件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的多个部分相连。

16.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层包括选自钛、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜和钯的材料。

17.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层包括选自氧化钼、氧化锡、氧化铋、氧化钒、氧化镍和氧化锌的材料。

18.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述有机化合物层包括芳族胺。

19.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于还包括与所述存储元件电连接的天线。

20.如权利要求1所述的存储元件，其特征在于，所述存储元件形成在柔性衬底上。

21.如权利要求5所述的存储元件，其特征在于，所述第一导电和所述第二导电层包括选自钛、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜和钯的材料。