[发明专利]集成电路芯片中电路模块间的噪声隔离有效
| 申请号： | 200780006446.3 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101432881A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | R·M·塞卡雷努;S·K·本纳杰;O·L·哈丁 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 集成电路(10)，包括在衬底的一个区内形成的由于低掺杂浓度而具有高电阻率的p阱模块区(30)，用于提供第一电路模块(22)和第二电路模块(24)之间的噪声隔离。该集成电路(10)进一步包括围绕p阱模块区(30)形成的保护区(32)，用于提供第一电路模块(22)和第二电路模块(24)之间的噪声隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 电路 模块 噪声 隔离 | ||
【主权项】：
1. 一种集成电路，包括：在衬底的一个区内形成的由于低掺杂浓度而具有高电阻率的p阱模块区，用于提供第一电路模块和第二电路模块之间的噪声隔离；以及围绕p阱模块区形成的保护区，用于提供第一电路模块和第二电路模块之间的噪声隔离。
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