[发明专利]集成电路芯片中电路模块间的噪声隔离

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

在衬底中形成的第一电路模块；

在该衬底中形成的第二电路模块；以及

在第一电路模块与第二电路模块之间形成的多个区域，其中该多个区域被配置为提供第一电路模块和第二电路模块之间的噪声隔离，并且该多个区域包括：

具有p型掺杂剂的相对低的第一掺杂浓度的p阱模块区，形成在第一电路模块与第二电路模块之间的衬底的区域内，

在p阱模块区与第一电路模块之间的衬底中形成的保护区的第一部分，其中该保护区的第一部分具有p型掺杂剂的第二掺杂浓度，以及

在p阱模块区与第二电路模块之间的衬底中形成的该保护区的第二部分，其中该保护区的第二部分具有第二掺杂浓度，其中第二掺杂浓度高于第一掺杂浓度。

2.根据权利要求1的集成电路，其中p阱模块区是在第一电路模块和第二电路模块之间形成的壁。

3.根据权利要求1的集成电路，其中p阱模块区是在第一电路模块和第二电路模块之间形成的环。

4.根据权利要求2的集成电路，其中保护区是围绕p阱模块区形成的环。

5.根据权利要求3的集成电路，其中保护区是围绕p阱模块区形成的环。

6.根据权利要求1的集成电路，进一步包括在保护区和第一电路模块之间形成的第一接地的高掺杂区以及在保护区和第二电路模块之间形成的第二接地的高掺杂区。

7.根据权利要求1的集成电路，进一步包括围绕保护区形成的沟槽。

8.根据权利要求6的集成电路，进一步包括在电介质层上方形成的接地的导电屏蔽，其中该电介质层至少在p阱模块区和保护区上方形成。

9.根据权利要求1的集成电路，其中连接第一电路模块和第二电路模块的至少一个互连以在直接在p阱模块区之上一个区内比在衬底之上其它区距离衬底上表面更大的距离形成。

10.根据权利要求8的集成电路，其中定位接地的导电屏蔽使得接地的导电屏蔽在第一电路模块上方占据的面积与接地的导电屏蔽在第二电路模块上方占据的面积不同。

11.根据权利要求9的集成电路，其中定位该至少一个互连使得该至少一个互连在第一电路模块上方占据的面积与该至少一个互连在第二电路模块上方占据的面积不同。

12.一种集成电路，包括：

在衬底中形成的第一电路模块；

在该衬底中形成的第二电路模块；

通过阻挡在第一电路模块与第二电路模块之间的衬底的一个区域内任何掺杂剂的插入而在该区域内形成的p阱模块区，用于提供第一电路模块和第二电路模块之间的噪声隔离，其中该p阱模块区具有p型掺杂剂的相对低的第一掺杂浓度；

围绕p阱模块区形成的具有第二掺杂浓度的保护区，用于提供第一电路模块和第二电路模块之间的噪声隔离；

在保护区和第一电路模块之间形成的第一接地的高掺杂区以及在保护区和第二电路模块之间形成的第二接地的高掺杂区；

在电介质层上方形成的接地的导电屏蔽，其中该电介质层至少在p阱模块区和保护区上方形成；以及

其中第二掺杂浓度高于第一掺杂浓度而低于第一接地的高掺杂区和第二接地的高掺杂区的掺杂浓度。

13.根据权利要求12的集成电路，进一步包括围绕保护区形成的沟槽。

14.根据权利要求12的集成电路，其中p阱模块区是在第一电路模块和第二电路模块之间形成的壁。

15.根据权利要求12的集成电路，其中p阱模块区是在第一电路模块和第二电路模块之间形成的环。

16.根据权利要求14的集成电路，其中保护区是围绕p阱模块区形成的环。

17.根据权利要求15的集成电路，其中保护区是围绕p阱模块区形成的环。