[发明专利]光记录介质及其制造方法有效
| 申请号： | 200780006083.3 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101389487A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 八代彻;水上智 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | B41M5/26 | 分类号： | B41M5/26;G11B7/244 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋 莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光记录介质，包括：其表面上具有沟槽和凹坑中的至少一种的基板；和形成于基板上的染料记录层，其中所述染料记录层包括下列通式(I)所表示的花青染料、下列通式(II)所表示的方形酸络合物、和胺化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光记录介质，包括:其表面上具有沟槽和凹坑中的至少一种的基板；和形成于所述基板上的染料记录层，其中所述染料记录层包括下列通式(I)所表示的花青染料、下列通式(II)所表示的方形酸络合物、和胺化合物。通式(I)![]()
其中R1和R2独立地表示可被取代的烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的苄基基团，Z表示形成芳环的原子团，X表示一价阴离子，并且L表示形成羰花青的连接基团，通式(II)![]()
其中R1和R2可相同或者不同，其为可被取代的烷基基团、可被取代的芳烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的杂环，Q表示具有配位性质的金属原子，q表示整数2或者3，并且A表示可被取代的芳基基团、可被取代的杂环、或者Y＝CH-(其中Y表示可被取代的芳基基团或者可被取代的杂环)。
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