[发明专利]光记录介质及其制造方法有效
| 申请号: | 200780006083.3 | 申请日: | 2007-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN101389487A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
| 发明(设计)人: | 八代彻;水上智 | 申请(专利权)人: | 株式会社理光 |
| 主分类号: | B41M5/26 | 分类号: | B41M5/26;G11B7/244 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋 莉 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
1.一种光记录介质,包括:
其表面上具有沟槽和凹坑中的至少一种的基板;和
形成于所述基板上的染料记录层,
其中所述染料记录层包括下列通式(I)所表示的花青染料、下列通式(II)所表示的方形酸络合物和胺化合物。
通式(I)
其中R1和R2独立地表示可被取代的烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的苄基基团,Z表示形成芳环的原子团,X表示一价阴离子,并且L表示形成羰花青的连接基团,
通式(II)
其中R1和R2可相同或者不同,其为可被取代的烷基基团、可被取代的芳烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的杂环,Q表示具有配位性质的金属原子,q表示整数2或者3,并且A表示可被取代的芳基基团、可被取代的杂环或者Y=CH-,其中Y表示可被取代的芳基基团或者可被取代的杂环。
2.权利要求1的光记录介质,其中所述记录层中的花青染料具有PF6-作为阴离子。
3.权利要求1的光记录介质,其中所述记录层中的胺化合物的含量为10质量%以下。
4.权利要求1的光记录介质,其中所述胺化合物为含氮杂环化合物。
5.一种制造光记录介质的方法,包括:
将其中至少溶解下列通式(I)所表示的花青染料、下列通式(II)所表示的方形酸络合物和胺化合物的溶剂涂布在基板表面上,由此在所述基板上形成染料记录层,
其中所述光记录介质包括其表面上具有沟槽和凹坑中的至少一种的基板,以及所述基板上的染料记录层:
通式(I)
其中R1和R2独立地表示可被取代的烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的苄基基团,Z表示形成芳环的原子团,X表示一价阴离子,并且L表示形成羰花青的连接基团,
通式(II)
其中R1和R2可相同或者不同,其为可被取代的烷基基团、可被取代的芳烷基基团、可被取代的芳基基团、或者可被取代的杂环,Q表示具有配位性质的金属原子,q表示整数2或者3,并且A表示可被取代的芳基基团、可被取代的杂环或者Y=CH-,其中Y表示可被取代的芳基基团或者可被取代的杂环。
6.权利要求5的制造光记录介质的方法,其中所述胺化合物为液态叔胺。
7.权利要求5的制造光记录介质的方法,其中所述溶剂为氟取代的醇。
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