[发明专利]基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法

摘要

本发明提供了一种基于AlGaInN系统中的化合物和合金来生长用于产生白光发射的发光二极管和激光器的非极性外延异质结构的方法，该方法包括气相沉积由式子Al_xGa_1－xN(0＜x≤1)描述的一层或多层异质结构层的步骤，其中，出于减小异质结构中的缺陷密度和机械应力的目的，应用利用(α)－硅酸镓镧(La₃Ga₅SiO₁₄)基底生长A³N结构的步骤。

主权项

1、一种基于AlGaInN系统中的化合物和合金来生长用于产生白光发射的发光二极管和激光器的非极性外延异质结构的方法，所述方法包括气相沉积由式子AlxGa1-xN描述的一层或多层异质结构层的步骤，这里，0

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