[发明专利]基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法

权利要求书

1、一种基于AlGaInN系统中的化合物和合金来生长用于产生白光发射的发光二极管和激光器的非极性外延异质结构的方法，所述方法包括气相沉积由式子Al_xGa_1-xN描述的一层或多层异质结构层的步骤，这里，0<x≤1，其中，出于降低异质结构中的缺陷密度和机械应力的目的，应用利用α-硅酸镓镧La₃Ga₅SiO₁₄基底生长A³N结构的步骤。

2、如权利要求1所述的方法，其中，硅酸镓镧基底用于生长A³N结构La_3-x-yCe_xPr_yGa₅SiO₁₄的基底，从而将异质结构的深蓝辐射的一部分转变成基底的黄色光致发光，这里，x＝0.1-3％，y＝0.01-1％。

3、如权利要求1所述的方法，其中，α面硅酸镓镧基底用作用于生长非极性A³N结构的基底，其中，非极性A³N结构用于单色光绿色和紫外辐射的器件。

4、如权利要求1所述的方法，其中，由适宜的磷光体掺杂的α-面硅酸镓镧La₃Ga₅SiO₁₄基底用作用于生长非极性A³N结构的基底，其中，生长非极性A³N结构用于将紫外辐射转换成包括白光的可见辐射。

5、如权利要求1所述的方法，其中，硅酸镓镧基底的厚度不超过80微米。

6、如权利要求1所述的方法，其中，采用在包括Si、Al₂O₃、Ge或类似材料的任意一种的组的材料上沉积的Ce掺杂的和Pr掺杂的硅酸镓镧缓冲层作为基底。

7、如权利要求1所述的方法，其中，生长A³N结构的步骤之后是在A³N的表面上生长另外的磷光体硅酸镓镧层的步骤。

8、如权利要求1所述的方法，其中，生长的硅酸镓镧层的厚度不超过3微米。