[发明专利]电容式传感器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200780003161.4 申请日: 2007-01-19
公开(公告)号: CN101375502A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 马尔科姆·F·道格拉斯 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H03K17/98 分类号: H03K17/98
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 陈源;张天舒
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种装配到本体上的电容式传感器薄膜(50)。所述薄膜包括:介电背衬层(2),所述背衬层在一个侧面上具有使用时面向所述本体的后主表面(2a),并且在另一侧面上具有前主表面(2b),所述前主表面(2b)承载至少部分地围绕传感器导体(7)的前导体(4),所述传感器导体通过移除了前导体(4)并暴露了所述前导体(4)下面的所述背衬层(2)的所述前主表面(2b)或另一层的区域与所述前导体(4)电绝缘。防护导体(1)被布置在所述背衬层的至少一个所述主表面(2a、2b)上,以便为所述传感器导体提供电屏蔽。所述防护导体可包括所述前导体(4)。
搜索关键词: 电容 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种装配到本体上的电容式传感器薄膜(50),所述薄膜包括:介电背衬层(2),其在一个侧面上具有在使用时面向所述本体的后主表面(2a),以及在另一侧面上具有前主表面(2b);传感器导体(7),其位于所述前主表面(2b)上;以及防护导体(1),其位于至少一个所述主表面(2a、2b)上为所述传感器导体提供电屏蔽;所述前主表面(2b)承载至少部分地围绕所述传感器导体(7)的前导体(4),所述传感器导体通过其中移除了前导体(4)并且暴露了前导体(4)下面的背衬层(2)的前主表面(2b)或另一层的区域与所述前导体电绝缘。
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