[发明专利]电容式传感器及其制造方法无效
申请号: | 200780003161.4 | 申请日: | 2007-01-19 |
公开(公告)号: | CN101375502A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 马尔科姆·F·道格拉斯 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H03K17/98 | 分类号: | H03K17/98 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种装配到本体上的电容式传感器薄膜(50),所述薄膜包括:介电背衬层(2),其在一个侧面上具有在使用时面向所述本体的后主表面(2a),以及在另一侧面上具有前主表面(2b);传感器导体(7),其位于所述前主表面(2b)上;以及防护导体(1),其位于至少一个所述主表面(2a、2b)上为所述传感器导体提供电屏蔽;所述前主表面(2b)承载至少部分地围绕所述传感器导体(7)的前导体(4),所述传感器导体通过其中移除了前导体(4)并且暴露了前导体(4)下面的背衬层(2)的前主表面(2b)或另一层的区域与所述前导体电绝缘。
2.根据权利要求1所述的电容式传感器薄膜(50),其中所述前导体(4)是用粘结剂层(3)粘结至所述背衬层(2)前表面(2b)的金属膜,或者所述前导体(4)通过金属蒸汽涂覆施加到所述背衬层(2)的所述前表面(2b)上。
3.根据前述任意项权利要求所述的电容式传感器薄膜(50),其中所述区域为宽度至少为5μm的细长的槽。
4.根据前述任意项权利要求所述的电容式传感器薄膜(50),其深度至少为所述前导体(4)的厚度。
5.根据前述任意项权利要求所述的电容式传感器薄膜(50),其中所述传感器导体(7)形成一个或多个连续的或不连续的金属区域,由此所述不连续的区域是电连接的。
6.根据权利要求5所述的电容式传感器薄膜(50),其中选择移除了前导体(4)的区域,以使得所述传感器导体(7)为细长条。
7.根据权利要求5所述的电容式传感器薄膜(50),其中选择移除了前导体(4)的区域,以使得所述传感器导体(7)包括两个或更多个电连接的分开的细长条。
8.根据前述任意项权利要求所述的电容式传感器薄膜(50),其中所述前表面(2b)还承载超防护导体(5),所述超防护导体通过移除了前导体(4)的区域与所述前导体(4)和所述传感器导体(7)电绝缘。
9.根据前述任一项权利要求所述的电容式传感器薄膜(50),其中所述防护导体包括所述前导体。
10.根据前述任意项权利要求所述的电容式传感器薄膜(50),其中所述防护导体位于所述背衬层的后主表面上,并且所述前导体(4)与所述防护导体(1)是电连接的。
11.一种制造根据权利要求1-10中任一项所述的电容式传感器薄膜(50)的方法,包括:
(i)提供背衬层(2),
(ii)将前导体(4)施加到所述背衬层(2)的前主表面(2b)上,
(iii)通过对至少部分地围绕传感器导体(7)的所述前导体(4)区域进行机械研磨以使所述传感器导体(7)与所述前导体(4)电绝缘,由此在所述区域中暴露了所述前导体(4)下面的所述背衬层的所述前主表面(2b)或另一层,来提供传感器导体(7)。
12.一种制造根据权利要求1-10中任一项所述的电容式传感器薄膜(50)的方法,包括:
(i)提供背衬层(2),
(ii)将前导体(4)施加到所述背衬层(2)的前主表面(2b)上,
(iii)利用激光烧蚀移除至少部分地围绕传感器导体(7)的所述前导体(4)区域以使所述传感器导体(7)与所述前导体(4)电绝缘,由此在所述区域中暴露所述前导体(4)下面的所述背衬层的所述前主表面(2b)或另一层,来提供传感器导体(7)。
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