[发明专利]等离子处理装置无效
申请号: | 200780002764.2 | 申请日: | 2007-01-22 |
公开(公告)号: | CN101371341A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 田才忠;野泽俊久;石桥清隆 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;C23C16/507;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种等离子处理装置,该等离子处理装置具有真空处理容器(34)、设于该容器内的、载置被处理体(W)的载置台(36)。处理容器(34)具有形成有上部开口的筒状容器主体(34A)、气密地安装于该主体的上部开口、由透过电磁波的电介体制的顶板(50)。该等离子处理装置还具有通过顶板向容器内供给用于产生等离子的电磁波的电磁波供给系统(54)、用于将包含处理气体的气体供给到容器内的气体供给系统(110)。在顶板(50)上形成有用于将由气体供给系统供给的气体向容器内喷出的气体喷射孔(108)。在各喷射孔(108)内配置由具有透气性的电介体制的放电防止构件(120)。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子处理装置,其特征在于,该等离子处理装置具有真空处理容器、载置台、电磁波供给系统与气体供给系统,上述真空处理容器具有形成有上部开口的筒状的容器主体以及气密地安装于该主体的上述上部开口、由可使电磁波透过的电介体制的顶板;上述载置台设于上述处理容器内,载置被处理体;上述电磁波供给系统通过上述顶板向上述处理容器内供给用于产生等离子的电磁波;上述气体供给系统向上述处理容器内供给含有处理气体的气体;在上述顶板上形成有气体喷射孔,该气体喷射孔将由上述气体供给系统供给的气体喷出到上述处理容器内,在该喷射孔内配置有由具有透气性的电介体制的放电防止构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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