[发明专利]等离子处理装置无效

专利信息
申请号: 200780002764.2 申请日: 2007-01-22
公开(公告)号: CN101371341A 公开(公告)日: 2009-02-18
发明(设计)人: 田才忠;野泽俊久;石桥清隆 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;C23C16/507;H01L21/205
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子处理装置,其特征在于,

该等离子处理装置具有真空处理容器、载置台、电磁波供给系统与气体供给系统,

上述真空处理容器具有形成有上部开口的筒状的容器主体以及气密地安装于该主体的上述上部开口、由可使电磁波透过的电介体制的顶板;

上述载置台设于上述处理容器内,载置被处理体;

上述电磁波供给系统通过上述顶板向上述处理容器内供给用于产生等离子的电磁波;

上述气体供给系统向上述处理容器内供给含有处理气体的气体;

在上述顶板上形成有气体喷射孔,该气体喷射孔将由上述气体供给系统供给的气体喷出到上述处理容器内,在该喷射孔内配置有放电防止构件,

上述放电防止构件具有放电防止构件主体和致密构件,

上述放电防止构件主体由具有透气性的电介体制成;

上述致密构件覆盖上述放电防止构件主体的至少侧面,由无透气性的电介体制成。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

在上述顶板上相互隔开地设有多个气体喷射孔,在各喷射孔内分别配置有上述放电防止构件。

3.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

构成上述放电防止构件主体的主要材料与上述顶板的材料相同。

4.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

上述放电防止构件主体由多孔质材料形成。

5.根据权利要求4所述的等离子处理装置,其特征在于,

上述多孔质材料的细孔直径为0.1mm以下。

6.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

设上述气体喷射孔的直径为在上述顶板中传播的上述电磁波的波长的1/2以下。

7.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

上述电磁波供给系统具有平面天线构件、微波产生器和波导管,

上述平面天线构件设于上述顶板上;

上述微波产生器用于产生微波;

上述波导管用于向上述平面天线构件传播由上述微波产生器产生的上述微波。

8.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

上述电磁波供给系统具有高频产生器和感应线圈,

上述高频产生器用于产生高频电力;

上述感应线圈配置于上述顶板上,与上述高频产生器相连接。

9.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

上述致密构件预先形成为筒状。

10.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

上述致密构件由粘接剂层构成,该粘接剂层通过使涂敷于上述主体表面上的粘接剂固化而形成。

11.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

在上述顶板上形成有气体流路,该气体流路向上述气体喷射孔引导由上述气体供给系统供给的气体;

在上述气体流路与上述气体喷射孔之间设有气体缓冲空间,该气体缓冲空间具有大于上述气体流路的截面积的截面积。

12.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,

上述放电防止构件主体具有气体喷射面、气体导入面和气体导入凹部,

上述气体喷射面与上述气体喷射孔的开口相对应;

上述气体导入面位于上述喷射面的相反侧;

上述气体导入凹部形成于上述导入面。

13.一种等离子处理装置,其特征在于,

该等离子处理装置具有真空处理容器、载置台、喷头和高频供给系统,

上述载置台设于上述处理容器内,载置被处理体;

上述喷头设于上述处理容器的上部,具有气体喷射面,该气体喷射面形成有向上述处理容器内喷出含有处理气体的气体的多个气体喷射口;

上述高频供给系统以上述载置台为下部电极,以上述喷头为上部电极,供给施加在两电极之间的高频电力;

在上述喷头的气体喷射面安装有放电防止构件,

上述放电防止构件具有放电防止构件主体和致密构件,

上述放电防止构件主体由具有透气性的电介体制成;

上述致密构件覆盖上述放电防止构件主体的至少侧面,由无透气性的电介体制成。

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