[发明专利]面发射激光二极管、面发射激光二极管阵列、光学扫描设备和图像形成设备有效
| 申请号： | 200780001450.0 | 申请日： | 2007-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101356703A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 伊藤彰浩;佐藤俊一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42;H04N1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管(100)，包括：基板(101)及形成于基板上的台结构，该台结构中包含电流限制结构，其中该电流限制结构包含导电电流限制区域(108A)和围绕该导电电流限制区域的绝缘区域，该绝缘区域为形成导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，且其中该电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从该台结构的中心偏移。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 激光二极管 阵列 光学 扫描 设备 图像 形成 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管，包括：基板；以及形成于所述基板上的台结构，所述台结构中包含电流限制结构，所述电流限制结构包含导电电流限制区域和围绕所述导电电流限制区域的绝缘区域，所述绝缘区域为形成所述导电电流限制区域的半导体材料的氧化物，其中所述电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从所述台结构的中心偏移。
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