[发明专利]面发射激光二极管、面发射激光二极管阵列、光学扫描设备和图像形成设备

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器结构的面发射激光二极管，包括：

基板；以及

形成于所述基板上的台结构，

所述台结构中包含电流限制结构，

所述电流限制结构包含导电电流限制区域和围绕所述导电电流限制区 域的绝缘区域，所述绝缘区域为形成所述导电电流限制区域的半导体材料的 氧化物，

其中所述电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从所述 台结构的中心偏移，且偏移的量为0.5μm以上。

2.如权利要求1所述的面发射激光二极管，其中所述基板为倾斜基板。

3.如权利要求2所述的面发射激光二极管，其中构成所述导电电流限 制区域的所述半导体材料表现出氧化速率的各向异性。

4.如权利要求2所述的面发射激光二极管，其中所述倾斜基板具有镜 面抛光面，所述镜面抛光面的法线方向从[100]晶向沿着朝[111]晶向、[1-1-1] 晶向、[11-1]晶向和[1-11]晶向的任何一个的方向倾斜。

5.如权利要求4所述的面发射激光二极管，其中所述镜面抛光面的所 述法线方向从所述[100]晶向沿着朝所述[111]晶向和所述[1-1-1]晶向的任何 一个的方向倾斜，且其中所述导电电流限制区域的所述中心沿着朝[011]晶向 和[0-1-1]晶向的任何一个的方向与所述台结构的所述中心偏移。

6.如权利要求4所述的面发射激光二极管，其中所述镜面抛光面的所 述法线方向从所述[100]晶向沿着朝所述[11-1]晶向和所述[1-11]晶向的任何 一个的方向倾斜，且其中所述导电电流限制区域的所述中心沿着朝[01-1]晶 向和[0-11]晶向的任何一个的方向与所述台结构的所述中心偏移。

7.如权利要求1至6任意一项所述的面发射激光二极管，其中在所述 台结构上形成具有开口部的上电极，且其中所述开口部的中心相对于所述激 光振荡方向与所述导电电流限制区域的所述中心一致。

8.一种面发射激光二极管阵列，包括形成于基板上的多个面发射激光 二极管，每个所述面发射激光二极管包括：

形成于所述基板上的台结构，

所述台结构中包含电流限制结构，

所述电流限制结构包含导电电流限制区域和围绕所述导电电流限制区 域的绝缘区域，所述绝缘区域为形成所述导电电流限制区域的半导体材料的 氧化物，

其中所述电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从所述 台结构的中心偏移，且偏移的量为0.5μm以上。

9.如权利要求8所述的面发射激光二极管阵列，其中所述导电电流限 制区域的所述中心相对于所述台结构的所述中心的偏移数量和偏移方向对 于所有所述多个面发射激光二极管是相同的。

10.一种使用光束扫描表面的光学扫描设备，包括：

光源单元，配置成产生所述光束；

偏向单元，配置成偏向来自所述光源单元的所述光束；以及

扫描光学系统，配置成致使被所述偏向单元偏向的所述光束扫过所述表 面，

所述光源单元包括面发射激光二极管，所述面发射激光二极管包括：

基板；以及

形成于所述基板上的台结构，

所述台结构中包含电流限制结构，

所述电流限制结构包含导电电流限制区域和围绕所述导电电流限 制区域的绝缘区域，所述绝缘区域为形成所述导电电流限制区域的半导 体材料的氧化物，

其中所述电流限制区域的中心在垂直于激光振荡方向的平面内从 所述台结构的中心偏移，且偏移的量为0.5μm以上。