[发明专利]膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统无效
| 申请号: | 200780001371.X | 申请日: | 2007-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN101356631A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 佐佐木义明;山口博史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统,该膜位置调整方法能够容易地消除在基板处理系统内的成膜位置的偏移。基板处理系统包括处理腔室、和进行应该搬入处理腔室的晶片W的定心的定向器。定向器上设置有用于测定晶片W的中心位置的偏移的方位传感器,和通过图像识别功能测定位于晶片W的周边部分的非成膜部的宽度的图像传感器。在处理腔室内的成膜处理之后,将晶片W搬入定向器,在此测定晶片W的中心位置的偏移,进行晶片W的定心,并且测定晶片W的非成膜部的宽度,根据测定的非成膜部的宽度计算膜位置偏移。修正向处理腔室内的载置台上的晶片搬送目标位置,从而消除计算得出的膜位置偏移。 | ||
| 搜索关键词: | 位置 调整 方法 存储 介质 处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种膜位置调整方法,其是基板处理系统的膜位置调整方法,该基板处理系统包括:在基板的表面上形成膜的膜形成装置;进行所述基板的定心的定心装置;和控制部,所述定心装置具有测定所述基板的中心位置的偏移的位置偏移传感器、和对在所述基板的表面上未形成所述膜的非成膜部进行图像识别的图像传感器,该膜位置调整方法的特征在于,包括:通过所述膜形成装置在基板上形成膜的膜形成步骤;通过所述图像传感器,对在所述膜形成步骤中形成有所述膜的所述基板的非成膜部的宽度进行测定的宽度测定步骤;通过所述控制部,根据在所述宽度测定步骤中测定的所述非成膜部的宽度,计算在所述基板上形成的膜的位置相对于基准成膜位置的偏移的膜位置偏移计算步骤;和通过所述控制部,根据在所述膜位置偏移计算步骤中计算得出的所述膜的位置的偏移,对所述膜形成装置的所述基板的位置进行调整的基板位置调整步骤。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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