[发明专利]膜位置调整方法、存储介质和基板处理系统无效
| 申请号: | 200780001371.X | 申请日: | 2007-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN101356631A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 佐佐木义明;山口博史 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;C23C16/44;H01L21/205;H01L21/68 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 位置 调整 方法 存储 介质 处理 系统 | ||
1.一种膜位置调整方法,其是基板处理系统的膜位置调整方法,该基板处理系统包括:在基板的表面上形成膜的膜形成装置;进行所述基板的定心的定心装置;和控制部,所述定心装置具有测定所述基板的中心位置的偏移的位置偏移传感器、和对在所述基板的表面上未形成所述膜的非成膜部进行图像识别的图像传感器,该膜位置调整方法的特征在于,所述基板和所述膜为圆形,
该膜位置调整方法包括:
通过所述膜形成装置在基板上形成膜的膜形成步骤;
通过所述图像传感器,对在所述膜形成步骤中形成有所述膜的所述基板的非成膜部的宽度进行测定的宽度测定步骤;
通过所述控制部,根据在所述宽度测定步骤中测定的所述非成膜部的宽度,计算在所述基板上形成的膜的位置相对于基准成膜位置的偏移的膜位置偏移计算步骤;和
通过所述控制部,根据在所述膜位置偏移计算步骤中计算得出的所述膜的位置的偏移,对所述膜形成装置的所述基板的位置进行调整的基板位置调整步骤。
2.如权利要求1所述的膜位置调整方法,其特征在于:
在所述宽度测定步骤中,在所述基板的周边部沿圆周方向每隔90°测定所述非成膜部的宽度。
3.如权利要求1所述的膜位置调整方法,其特征在于,还包括:
在所述膜形成步骤之后,通过所述位置偏移传感器对所述基板的中心位置的偏移进行测定的中心位置偏移测定步骤。
4.如权利要求1所述的膜位置调整方法,其特征在于,还包括:
在所述膜形成步骤之前,通过所述定心装置进行所述基板的定心的定心步骤。
5.如权利要求1所述的膜位置调整方法,其特征在于,还包括:
在所述膜形成步骤之后且在所述宽度测定步骤之前,通过所述定心装置进行所述基板的定心的定心步骤。
6.一种基板处理系统,包括:在基板的表面上形成膜的膜形成装置;进行所述基板的定心的定心装置;和控制部,所述定心装置具有测定所述基板的中心位置的偏移的位置偏移传感器,其特征在于:
所述基板和所述膜为圆形,
所述定心装置包括图像传感器,该图像传感器具有对在通过所述膜形成装置形成有膜的基板的表面上未形成膜的非成膜部进行图像识别并且对所述非成膜部的宽度进行测定的功能,
所述控制部被构成为,根据测定的所述非成膜部的宽度,计算形成于所述基板的膜的位置相对于基准成膜位置的偏移,并且根据所述计算得出的位置的偏移调整所述膜形成装置的所述基板的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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