[发明专利]溅镀装置及成膜方法有效
| 申请号: | 200780001165.9 | 申请日: | 2007-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN101356297A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
| 发明(设计)人: | 高泽悟;浮岛祯之;谷典明;石桥晓 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;H01L21/31 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明的溅镀装置(1)设有第一~第四靶材(21a~21d)。第一、第二靶材(21a~21b)的表面相互对置,第三、第四靶材(21c~21d)的表面也相互对置。形成介质膜时,交替地溅射第一、第二靶材(21a~21b)和第三、第四靶材(21c~21d)。其表面相互对置的2个靶材(21a~21d)被溅射时,另2个靶材(21a~21d)用作接地的功能。其结果,使异常放电得到了抑制。 | ||
| 搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅镀装置,设有:其表面相互对置的第一、第二靶材;其表面平行于所述第一靶材的表面的第三靶材;其表面平行于所述第二靶材的表面,与所述第三靶材对置的第四靶材;以及设于所述第一~第四靶材背面的第一~第四阴极;使薄膜在面对所述第一、第二靶材之间的空间相对的位置处的成膜对象物表面上形成。
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