[发明专利]等离子体蚀刻方法无效
| 申请号： | 200780000157.2 | 申请日： | 2007-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101310367A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 西塚哲也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体蚀刻方法，该方法使用处理气体的等离子体实施蚀刻。该蚀刻处理对包括基板(101)、在该基板上形成的基底膜(102、103)、以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜(104)的被处理体(W)实行处理。使用由含氯气体以及含氧气体构成的主蚀刻气体和含氮气体作为处理气体。该蚀刻方法的特征在于，在从等离子体的发光光谱求出的N2+的强度与N2的强度的比N2+/N2为0.6以上的条件下，进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻方法，其对被处理体实施使用处理气体的等离子体的蚀刻处理，该被处理体包括：基板、在该基板上形成的基底膜以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜，该蚀刻方法的特征在于：使用主蚀刻气体和含氮气体作为所述处理气体，在从所述等离子体的发光光谱求出的N2 +的强度与N2的强度的比N2 +/N2为0.6以上的条件下，进行蚀刻。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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