[发明专利]等离子体蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其对被处理体实施使用处理气体的等离子体的蚀刻处理，该被处理体包括：基板、在该基板上形成的基底膜以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜，该蚀刻方法的特征在于：

使用主蚀刻气体和含氮气体作为所述处理气体，在从所述等离子体的发光光谱求出的N₂⁺的强度与N₂的强度的比N₂⁺/N₂为0.6以上的条件下，进行蚀刻。

2.一种蚀刻方法，其对被处理体实施使用处理气体的等离子体的蚀刻处理，该被处理体包括：基板、在该基板上形成的由含硅膜构成的基底膜以及在该基底膜上形成的由含钨膜构成的蚀刻对象膜，该蚀刻方法的特征在于：

使用含氯气体、含氧气体、以及含氮气体作为所述处理气体，在从所述等离子体的发光光谱求出的N₂⁺的强度与N₂的强度的比N₂⁺/N₂为0.6以上的条件下，进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含氯气体为Cl₂气，所述含氧气体为O₂气，所述含氮气体为N₂气。

4.根据权利要求2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含硅膜为多晶硅膜，所述含钨膜为钨膜或氮化钨膜和钨膜的层叠体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

利用微波而生成所述等离子体。

6.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

利用从平面天线放射出的微波生成所述等离子体。

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述平面天线是径向线缝隙天线。

8.根据权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于：

利用从径向线缝隙天线放射出的电力为2000W以上的微波，将供给处理容器内的所述处理气体等离子体化，并且，

供给所述处理容器内的所述处理气体中，所述N₂气相对于所述Cl₂气的流量的比率为200％以上。

9.一种蚀刻装置，其对被处理体实施使用处理气体的等离子体的蚀刻处理，该被处理体包括：基板、在该基板上形成的基底膜以及在该基底膜上形成的蚀刻对象膜，该蚀刻装置的特征在于，包括：

收容所述被处理体的处理容器；

气体供给系统，其分别调整作为所述处理气体的主蚀刻气体以及含氮气体的流量，并将这些气体供给所述处理容器内；

等离子体生成系统，其在所述处理容器内生成等离子体；

发光光谱检测系统，其对在所述处理容器内生成的所述处理气体的等离子体的发光光谱进行检测；和

控制器，其控制所述气体供给系统以及所述等离子体生成系统，以获得从所述检测系统检测出的所述等离子体的发光光谱求出的N₂⁺的强度和N₂的强度的比N₂⁺/N₂为0.6以上的等离子体生成条件。

10.根据权利要求9所述的蚀刻装置，其特征在于：

所述发光光谱检测系统，包括，

对等离子体光进行分光的单色仪；和

对由所述单色仪得到的分光的光进行测量的测量器。