[实用新型]大功率LED封装结构有效
| 申请号： | 200720172011.3 | 申请日： | 2007-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN201112413Y | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 万喜红;雷玉厚;罗龙 | 申请（专利权）人： | 万喜红;雷玉厚;罗龙 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/373 |
| 代理公司： | 深圳市维邦知识产权事务所 | 代理人： | 黄莉 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种大功率LED封装结构，包括铝基板、利用银胶或锡膏固定的发光芯片、金线、铜基板、透镜、反射腔，所述铜基板由上下两层构成，下面一层为纯铜，上面一层为热膨胀系数介于发光芯片和纯铜之间而且具有高导热率的缓冲层。由于铜基板由上下两层构成，上面是一层热匹配的缓冲层，在保证若热传递的条件下，可最大限度的保证热压的均匀性，保证器件在不同使用环境下寿命和可靠性；由于透镜是采用硅胶材质，使器件能耐更高温度，而且硅胶对紫外线的透过率极佳，不会黄变，具有更好的信赖性；而且硅胶透镜极易成型，可以根据客户的要求定制，更加有利于光线的合理利用。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 led 封装 结构 | ||
【主权项】：
1、一种大功率LED封装结构，包括铝基板、利用银胶或锡膏固定的发光芯片、金线、铜基板、透镜、反射腔，其特征在于：所述铜基板由上下两层构成，下面一层为纯铜，上面一层为热膨胀系数介于发光芯片和纯铜之间而且具有高导热率的缓冲层。
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