[实用新型]一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽无效
| 申请号: | 200720039053.X | 申请日: | 2007-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN201072762Y | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
| 发明(设计)人: | 荀建华;刘志刚 | 申请(专利权)人: | 荀建华;刘志刚 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306;C23F1/00 |
| 代理公司: | 常州市维益专利事务所 | 代理人: | 周祥生 |
| 地址: | 213213江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器,在支撑平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口,支撑平板架设在槽体内,并与槽体底面形成一个空腔,所述加热管安装在槽体内壁上,且位于左缺口或右缺口的上方,硅片承载器放置在支撑平板上。当腐蚀槽加热时,腐蚀液从加热管的缺口垂直于承载器的方向流动,沿着支撑平板的缺口流到支撑平板下面的空腔中,再沿着靠近加热管的缺口上升继续加热,如此不断循环。这样,整个硅片表面的受热均匀,腐蚀液流动均匀,腐蚀速度均匀,绒面结构一致。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 单晶硅 太阳能电池 腐蚀 | ||
【主权项】:
1.一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体(1)、加热管(2)、支撑平板(3)、硅片承载器(4),支撑平板(3)架设在槽体(1)内,并与槽体底面(7)形成一个空腔(9),硅片承载器(4)放置在支撑平板(3)上,硅片(10)插装在硅片承载器(4)上,其特征是:在支撑平板(3)的两端开有左缺口(5)和右缺口(6),所述加热管(2)安装在槽体内壁(8)上,且位于左缺口(5)或右缺口(6)的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





