[实用新型]一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽无效

专利信息
申请号: 200720039053.X 申请日: 2007-06-30
公开(公告)号: CN201072762Y 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 荀建华;刘志刚 申请(专利权)人: 荀建华;刘志刚
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/306;C23F1/00
代理公司: 常州市维益专利事务所 代理人: 周祥生
地址: 213213江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 单晶硅 太阳能电池 腐蚀
【说明书】:

技术领域:

实用新型涉及晶体硅太阳能电池,尤其涉及单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽。

背景技术:

单晶硅太阳能电池表面陷光效果与太阳能电池的“金字塔”绒面均匀性有直接关系。目前,单晶硅太阳能电池绒面都是通过腐蚀法来获得“金字塔”绒面的,现在常用的方法是将硅片竖直地放置在硅片承载器中,然后将硅片承载器放置在装有腐蚀液的腐蚀槽中,腐蚀液由氢氧化钠或氢氧化钾、水、消泡剂混合而成。目前,单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽由槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器组成,加热管设置在槽体的底部,支撑平板架设在加热管的上面,在支撑平板上均匀地设有若干渗液孔,硅片承载器放置在支撑平板上,加热后的腐蚀液从支撑平板上的渗液孔中冒出,流动的腐蚀液与硅片接触,使单晶硅太阳能电池形成绒面。这种结构的腐蚀槽,腐蚀液的流向是从硅片底部流到硅片的上部,再沿槽壁流下,不断循环。由于在支撑平板上有若干个均匀分布的渗液孔,在设有渗液孔的位置腐蚀液流动快,没有渗液孔的位置腐蚀液流动慢,这样硅片底部腐蚀液的流动不均匀,造成了硅片表面腐蚀不均,所获得的绒面表面不均匀,难以达到人们的预期要求。

实用新型内容:

为了克服上述缺陷,提高单晶硅太阳能电池绒面均匀性,本实用新型提供了一种新型单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽。

本实用新型所采用的技术方案是:

所述单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器,支撑平板架设在槽体内,并与槽体底面形成一个空腔,硅片承载器放置在支撑平板上,硅片插装在硅片承载器上,其特征是:在支撑平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口,所述加热管安装在槽体内壁上,且位于左缺口或右缺口的上方。

所述左缺口和右缺口的形状为“D”字形,整个支撑平板的形状为“工”字形。

当腐蚀槽加热时,腐蚀液从设有加热管的一端缺口流出,沿垂直于承载器的方向流向另一端的缺口,流进支撑平板下面的空腔中,再沿着靠近加热管的缺口上升继续加热,如此不断循环。这样,不仅整个硅片表面的受热均匀,而且腐蚀液流动速度均匀,腐蚀液与硅片的接触机率更均匀,从而使得腐蚀速度均匀,所形成的绒面结构均匀一致。

附图说明:

图1~2为本实用新型的结构示意图;

其中,图2为图1的俯视图;

图中,1-槽体;2-加热管;3-支撑平板;4-硅片承载器;5-左缺口;6-右缺口;7-槽体底面;8-槽体内壁;9-空腔;10-硅片。

具体实施方式:

下面结合附图1、图2详细说明本实用新型的具体实施方式,所述单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,由槽体1、加热管2、支撑平板3、硅片承载器4组成,在支撑平板3的左右两端开有“D”字形的左缺口5和右缺口6,整个支撑平板3的形状为“工”字形,支撑平板3架设在槽体1内,并与槽体底面7形成一个空腔9,所述加热管2安装在槽体内壁8上,且位于支撑平板3的右缺口6的上方,硅片承载器4放置支撑平板3上,硅片10插装在硅片承载器4上。

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