[实用新型]一种单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽无效
| 申请号: | 200720039053.X | 申请日: | 2007-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN201072762Y | 公开(公告)日: | 2008-06-11 |
| 发明(设计)人: | 荀建华;刘志刚 | 申请(专利权)人: | 荀建华;刘志刚 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306;C23F1/00 |
| 代理公司: | 常州市维益专利事务所 | 代理人: | 周祥生 |
| 地址: | 213213江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单晶硅 太阳能电池 腐蚀 | ||
技术领域:
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池,尤其涉及单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽。
背景技术:
单晶硅太阳能电池表面陷光效果与太阳能电池的“金字塔”绒面均匀性有直接关系。目前,单晶硅太阳能电池绒面都是通过腐蚀法来获得“金字塔”绒面的,现在常用的方法是将硅片竖直地放置在硅片承载器中,然后将硅片承载器放置在装有腐蚀液的腐蚀槽中,腐蚀液由氢氧化钠或氢氧化钾、水、消泡剂混合而成。目前,单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽由槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器组成,加热管设置在槽体的底部,支撑平板架设在加热管的上面,在支撑平板上均匀地设有若干渗液孔,硅片承载器放置在支撑平板上,加热后的腐蚀液从支撑平板上的渗液孔中冒出,流动的腐蚀液与硅片接触,使单晶硅太阳能电池形成绒面。这种结构的腐蚀槽,腐蚀液的流向是从硅片底部流到硅片的上部,再沿槽壁流下,不断循环。由于在支撑平板上有若干个均匀分布的渗液孔,在设有渗液孔的位置腐蚀液流动快,没有渗液孔的位置腐蚀液流动慢,这样硅片底部腐蚀液的流动不均匀,造成了硅片表面腐蚀不均,所获得的绒面表面不均匀,难以达到人们的预期要求。
实用新型内容:
为了克服上述缺陷,提高单晶硅太阳能电池绒面均匀性,本实用新型提供了一种新型单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽。
本实用新型所采用的技术方案是:
所述单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,包括槽体、加热管、支撑平板、硅片承载器,支撑平板架设在槽体内,并与槽体底面形成一个空腔,硅片承载器放置在支撑平板上,硅片插装在硅片承载器上,其特征是:在支撑平板的左右两端分别开有左缺口和右缺口,所述加热管安装在槽体内壁上,且位于左缺口或右缺口的上方。
所述左缺口和右缺口的形状为“D”字形,整个支撑平板的形状为“工”字形。
当腐蚀槽加热时,腐蚀液从设有加热管的一端缺口流出,沿垂直于承载器的方向流向另一端的缺口,流进支撑平板下面的空腔中,再沿着靠近加热管的缺口上升继续加热,如此不断循环。这样,不仅整个硅片表面的受热均匀,而且腐蚀液流动速度均匀,腐蚀液与硅片的接触机率更均匀,从而使得腐蚀速度均匀,所形成的绒面结构均匀一致。
附图说明:
图1~2为本实用新型的结构示意图;
其中,图2为图1的俯视图;
图中,1-槽体;2-加热管;3-支撑平板;4-硅片承载器;5-左缺口;6-右缺口;7-槽体底面;8-槽体内壁;9-空腔;10-硅片。
具体实施方式:
下面结合附图1、图2详细说明本实用新型的具体实施方式,所述单晶硅太阳能电池绒面腐蚀槽,由槽体1、加热管2、支撑平板3、硅片承载器4组成,在支撑平板3的左右两端开有“D”字形的左缺口5和右缺口6,整个支撑平板3的形状为“工”字形,支撑平板3架设在槽体1内,并与槽体底面7形成一个空腔9,所述加热管2安装在槽体内壁8上,且位于支撑平板3的右缺口6的上方,硅片承载器4放置支撑平板3上,硅片10插装在硅片承载器4上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





