[实用新型]高精密金属箔电阻器仪表测量装置无效
申请号: | 200720025043.0 | 申请日: | 2007-07-04 |
公开(公告)号: | CN201060712Y | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 李本善;丁福藏;王承业;王玉山 | 申请(专利权)人: | 济宁正和电子有限责任公司 |
主分类号: | H01C7/00 | 分类号: | H01C7/00;H01C13/00;G01R27/00;G01R35/00 |
代理公司: | 济宁众城专利事务所 | 代理人: | 江禹春 |
地址: | 272023山东省济宁*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种高精密金属箔电阻器仪表测量装置,特别是高精密金属箔电阻器工业仪表测量装置设备。它是由镍铬合金箔材料粘贴在氧化铝陶瓷基片上,采用半导体刻蚀工艺的电阻栅条图形和焊接区构成电阻芯片,电阻器内设置单片电阻芯片或者设置多片电阻芯片,电阻芯片上设置粗中细调调节器,内外引线分别连接焊接区引出电极,内引线的一端与电阻芯片上焊接区连接,内引线的另一端和外引线与垫片焊接后固定在电阻芯片的背面,电阻芯片装置在机壳内,由密封胶密封固定。效果是平面结构设计,分布电感量和分布电容量很小,频率特性稳定,阻值精度达到±0.005%,阻值范围为佳0.1Ω~720KΩ,广泛用于高精密金属箔电阻器工业仪表测量装置设备上。 | ||
搜索关键词: | 精密 金属 电阻器 仪表 测量 装置 | ||
【主权项】:
1.一种高精密金属箔电阻器仪表测量装置,它是由镍铬合金箔材料粘贴在氧化铝陶瓷基片上,采用半导体刻蚀工艺的电阻栅条图形和焊接区(5)构成电阻芯片(3),其特征是电阻器内设置单片电阻芯片(3)或者设置多片电阻芯片(3),电阻芯片(3)上设置粗中细调调节器,内外引线分别连接焊接区(5)引出电极,内引线(6)的一端与电阻芯片(3)上焊接区(5)连接,内引线(6)的另一端和外引线(1)与垫片(2)焊接后固定在电阻芯片(3)的背面,电阻芯片(3)装置在机壳(7)内,由密封胶(4)密封固定。
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