[发明专利]CMOS图像传感器以及其制造方法无效
| 申请号： | 200710306355.3 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211954A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金兑圭 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造图像传感器的方法能够通过实施基本完全复位工艺防止图像滞后并抑制暗电流。实施例涉及一种CMOS图像传感器，其包括P－型外延层，该P－型外延层形成于半导体衬底上方并限定光电二极管区FD、有源区和器件隔离区。器件隔离膜形成于器件隔离区中并包括电极。栅极形成于P－型外延层上方，其间插入栅极绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：P-型外延层，其具有限定于其中的光电二极管区、有源区和器件隔离区，所述P-型外延层形成于半导体衬底上方；形成于所述器件隔离区中的器件隔离膜；形成于所述器件隔离膜中的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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