[发明专利]CMOS图像传感器以及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

P-型外延层，其具有限定于其中的光电二极管区、有源区和器件隔离区，所述P-型外延层形成于半导体衬底上方；

形成于所述器件隔离区中的器件隔离膜；

形成于所述器件隔离膜中的电极。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，形成的所述电极具有对应于所述器件隔离膜深度的大约1/2和2/3之间的深度。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电极由导电材料形成。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述电极由金属形成。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述电极由多晶硅形成。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，包括连接到所述电极的触点。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，将反向偏置施加到连接到所述电极的所述触点，以增加浮置扩散区和所述光电二极管区之间的电压差，以使所述光电二极管区中的电子移动通过所述浮置扩散区以实施复位工艺。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，将反向偏置施加到连接到所述电极的触点，以防止所述器件隔离膜的界面中发生的泄漏电流与图像信号混合。

9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，包括：

栅极绝缘膜，其形成于所述P-型外延层上方；以及

栅极，其形成于所述栅极绝缘层上方。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，包括在所述栅极的侧壁上方形成的间隔垫。

11.一种方法，其包括：

使用外延工艺在半导体衬底上方形成外延层，其限定光电二极管区、有源区和器件隔离区；

使用浅沟槽隔离工艺在所述外延层的所述器件隔离区中形成器件隔离膜；

形成光刻胶图案，其用于在所述器件隔离膜的中心部分形成开口；

使用用所述光刻胶图案的反应离子蚀刻方法在所述器件隔离膜中形成接触孔；以及

通过用导电材料填充所述接触孔形成电极。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述导电材料是金属。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述导电材料是多晶硅。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，包括在所述外延层上方形成栅极绝缘膜。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，包括在所述栅极绝缘膜上方形成栅极。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，包括在所述栅极侧壁上方形成间隔垫。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，包括在所述器件隔离膜和所述栅极上方形成层间绝缘膜。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，包括在所述层间绝缘膜中形成电连接到所述电极的触点。

19.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，形成所述器件隔离膜的所述接触孔的深度为对应于器件隔离膜厚度的大约1/2和2/3之间。

20.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，包括进行回蚀刻工艺以平坦化所述导电材料。