[发明专利]在半导体器件中形成细微图案的方法无效
| 申请号： | 200710306333.7 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101271830A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 赵诚允;李昌九 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在半导体器件中形成细微图案的方法，包括：在蚀刻目标层上形成第一硬掩模层；在该第一硬掩模层上形成具有负斜面的第一蚀刻掩模图案，从而形成所得结构；在该所得结构上形成用于第二蚀刻掩模的第一材料层；进行平坦化工艺直到暴露该第一蚀刻掩模图案，以形成填充在间隔物之间的空间的第二蚀刻掩模图案；除去该间隔物；和使用该第一蚀刻掩模图案和该第二蚀刻掩模图案，蚀刻该第一硬掩模层和该蚀刻目标层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 细微 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成细微图案的方法，该方法包括：在蚀刻目标层上形成第一硬掩模层；在该第一硬掩模层上形成具有负斜面的第一蚀刻掩模图案；在该第一蚀刻掩模图案的侧壁上形成间隔物，从而形成第一所得结构；在该第一所得结构上形成第一材料层，从而形成第二结构；在该第二所得结构上进行平坦化工艺直到暴露该第一蚀刻掩模图案，从而形成填充该间隔物之间空间的第二蚀刻掩模图案；除去该间隔物；和使用该第一蚀刻掩模图案和该第二蚀刻掩模图案作为蚀刻掩模，蚀刻该第一硬掩模层和该蚀刻目标层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710306333.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用半固态反应制备Mg2Si粉体的方法
- 下一篇：车辆用灯具
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
