[发明专利]液晶显示器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710306320.X 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101211864A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 林周洙;郭喜荣 申请(专利权)人: LG.菲利浦LCD株式会社
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/136;G02F1/1362
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;梁挥
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种用于制造液晶显示器件的方法包括:提供阵列基板和面对该阵列基板的滤色器基板;通过第一掩模工艺在阵列基板上形成由第一导电膜形成的栅极和栅线;形成在栅极的上部的第二导电膜图案、在该栅极的部分上部区域的存储电容器预备图案以及与该栅线基本交叉以限定像素区域的数据线,该第二导电膜图案、该存储电容器预备图案和该数据线通过第二掩模工艺由第二导电膜形成;形成围绕该数据线的不透明绝缘膜;在该阵列基板的整个表面上形成透明第三导电膜,以该不透明绝缘膜插入其间;通过第三掩模工艺对第二导电膜图案和第三导电膜构图,以形成源极、与该源极隔开的漏极、与该漏极接触的像素电极、和与该像素电极的部分下部区域接触的存储电容器图案;以及贴合该阵列基板和该滤色器基板。
搜索关键词: 液晶显示 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于制造液晶显示器的方法,包括:提供阵列基板和面对所述阵列基板的滤色器基板;通过第一掩模工艺在所述阵列基板上形成由第一导电膜形成的栅极和栅线;形成在所述栅极的上部的第二导电膜图案、在所述栅极的部分上部区域的存储电容器预备图案以及与所述栅线基本交叉以限定像素区域的数据线,所述第二导电膜图案、所述存储电容器预备图案和所述数据线通过第二掩模工艺由第二导电膜形成;形成围绕所述数据线的不透明绝缘膜;在所述阵列基板的整个表面上形成透明第三导电膜,以所述不透明绝缘膜插入其间;通过第三掩模工艺对所述第二导电膜图案和第三导电膜构图,以形成源极、与所述源极隔开的漏极、与所述漏极接触的像素电极、和与所述像素电极的部分下部区域接触的存储电容器图案;以及贴合所述阵列基板和所述滤色器基板。
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