[发明专利]液晶显示器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造液晶显示器的方法，包括：

提供阵列基板和面对所述阵列基板的滤色器基板；

通过第一掩模工艺在所述阵列基板上形成由第一导电膜形成的栅极和栅线；

形成在所述栅极的上部的第二导电膜图案、在所述栅极的部分上部区域的存储电容器预备图案以及与所述栅线基本交叉以限定像素区域的数据线，所述第二导电膜图案、所述存储电容器预备图案和所述数据线通过第二掩模工艺由第二导电膜形成；

形成围绕所述数据线的不透明绝缘膜；

在所述阵列基板的整个表面上形成透明第三导电膜，以所述不透明绝缘膜插入其间；

通过第三掩模工艺对所述第二导电膜图案和第三导电膜构图，以形成源极、与所述源极隔开的漏极、与所述漏极接触的像素电极、和与所述像素电极的部分下部区域接触的存储电容器图案；以及

贴合所述阵列基板和所述滤色器基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一掩模工艺中，将所述第一导电膜沉积在所述阵列基板上并且将其构图，以形成所述栅极和所述栅线。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二掩模工艺包括：

在其上形成有所述栅极和所述栅线的所述基板上依次形成第一绝缘膜、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜和所述第二导电膜；

在其上形成有所述第二导电膜的所述基板上涂覆具有不透明光亚克力的第一光敏性膜；

通过具有允许照射光完全透过的透射区域、仅仅允许一些光透过的狭缝区域以及完全遮光的遮光区域的掩模对所述第一光敏性膜曝光；

将通过所述掩模受到光照射的所述第一光敏性膜显影，以在所述第二导电膜上形成第一光敏性膜图案和比所述第一光敏性膜图案要厚的第二光敏性膜图案；以及

通过使用所述第一和第二光敏性膜图案作为掩模，去除所述非晶硅薄膜、所述n+非晶硅薄膜和所述第二导电膜，以形成在所述第一光敏性膜图案的所述下部的所述第二导电膜图案和所述存储电容器预备图案以及在所述第二光敏性膜图案的所述下部的、与所述数据线基本交叉以限定所述像素区域的所述数据线。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成围绕所述数据线的所述不透明绝缘膜的工艺包括：

灰化所述第一和第二光敏性膜图案，以去除所述第一光敏性膜图案；以及

通过固化所述第二光敏性膜图案来形成所述不透明绝缘膜，以使它围绕所述数据线。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述固化工艺是在100℃～200℃实施的。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工艺包括：

在其上形成有所述第三导电膜的所述阵列基板上涂覆所述第二光敏性膜；

通过具有允许照射光透过的透射区域、将光遮住的遮光区域的掩模对第二光敏性膜曝光；将通过所述掩模受到光照射的所述第二光敏性膜显影，以形成第三光敏性膜图案；以及

通过使用所述第三光敏性膜图案作为掩模，去除所述第三导电膜、所述第二导电膜图案和所述存储电容器预备图案、在所述第二导电膜图案的所述下部的所述n+非晶硅层和所述非晶硅层的一些部分，以形成所述源极、与所述源极隔开的所述漏极、与所述漏极接触的所述像素电极、和与所述像素电极的部分下部区域接触的存储电容器图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，通过使用所述第三光敏性膜图案作为掩模，去除所述第三导电膜、所述第二导电膜图案和在所述第二导电膜图案的所述下部的所述n+非晶硅层和所述非晶硅层的所述些部分的工艺包括：

通过使用所述第三光敏性膜图案作为掩模，对所述透明导电膜和所述第二导电膜图案的一些部分实施过度湿法蚀刻；以及

通过使用所述第三光敏性膜图案作为掩模，干法蚀刻所述n+非晶硅层和所述非晶硅层的一些部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在实施所述干法蚀刻中，使用NH₃等离子体。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三掩模工艺包括：

在形成所述源极和所述漏极、所述像素电极和所述存储电容器图案的步骤之后，在所述基板的整个表面上形成绝缘膜，以第三光敏性膜图案插入它们之间；以及

剥离所述第三光敏性膜图案。