[发明专利]使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀化的方法有效

专利信息
申请号: 200710305948.8 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101241856A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: D·费若;O·里门施奈德;R·瓦利希 申请(专利权)人: 硅电子股份公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 程大军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种用于使位于电绝缘材料的表面的半导体层厚度变薄和均匀化的方法,其中将半导体层的表面暴露于刻蚀剂的作用下,所述刻蚀剂的氧化还原电位作为材料和半导体层的期望最终厚度的函数来进行调节,以便随着半导体层的厚度降低,在半导体层表面每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀变小,当达到期望厚度时,仅仅为每秒0-10%厚度,其中所述方法在没有光的作用或外部电压的施加下实施。
搜索关键词: 位于 绝缘材料 表面上 半导体 厚度 降低 均匀 方法
【主权项】:
1.一种用于使位于电绝缘材料表面上的半导体层厚度变薄和均匀化的方法,其中将所述半导体层的表面暴露于刻蚀剂的作用下,所述刻蚀剂的氧化还原电位作为材料和半导体层的期望最终厚度的函数来进行调节,以便随着半导体层的厚度降低,在半导体层表面每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀变小,当达到期望厚度时,仅仅为每秒0-10%厚度,其中所述方法在没有光的作用或外部电压的施加下实施。
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