[发明专利]使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀化的方法有效

申请号：	200710305948.8	申请日：	2007-12-28
公开（公告）号：	CN101241856A	公开（公告）日：	2008-08-13
发明（设计）人：	D·费若;O·里门施奈德;R·瓦利希	申请（专利权）人：	硅电子股份公司
主分类号：	H01L21/306	分类号：	H01L21/306
代理公司：	永新专利商标代理有限公司	代理人：	程大军
地址：	德国***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	位于绝缘材料表面上半导体厚度降低均匀方法
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【权利要求书】：

1.一种用于使位于电绝缘材料表面上的半导体层厚度变薄和均匀化的方法，其中将所述半导体层的表面暴露于刻蚀剂的作用下，所述刻蚀剂的氧化还原电位作为材料和半导体层的期望最终厚度的函数来进行调节，以便随着半导体层的厚度降低，在半导体层表面每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀变小，当达到期望厚度时，仅仅为每秒0-10％厚度，其中所述方法在没有光的作用或外部电压的施加下实施。

2.权利要求1所述的方法，其中所述半导体层含有一种或多种选自硅、锗、碳化硅、III/V化合物半导体和II/VI化合物半导体的物质。

3.权利要求1-2之一所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位通过刻蚀剂的组成来调节。

4.权利要求3所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位通过选择刻蚀剂组分来调节。

5.权利要求3所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位通过刻蚀剂组分的浓度来调节。

6.权利要求5所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位基本上由其pH来确定，并且其中选择刻蚀剂组分的浓度以调节适合的pH。

7.权利要求3-6之一所述的方法，其中所述刻蚀剂的氧化还原电位还可通过选择温度来调节。

8.权利要求3-7之一所述的方法，其中所述半导体层含有硅，刻蚀剂含有一种或多种氟化合物。

9.权利要求8所述的方法，其中所述刻蚀剂含有氟化氢和氟化物盐。

10.权利要求9所述的方法，其中所述氟化物盐是氟化铵。

11.权利要求1-10之一所述的方法，其中所述半导体层由p型掺杂硅构成。

12.权利要求1-11之一所述的方法，其中所述半导体层是SOI晶片的功能层。

13.权利要求1-12之一所述的方法，其中当达到期望最终厚度时，在半导体层表面上每单位时间由刻蚀剂进行的材料腐蚀为0-1nm。