[发明专利]半导体存储器件、半导体器件、存储系统和刷新控制方法无效

专利信息
申请号: 200710305302.X 申请日: 2007-12-26
公开(公告)号: CN101211653A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 利穗吉郎 申请(专利权)人: 尔必达存储器株式会社
主分类号: G11C11/406 分类号: G11C11/406;G11C11/4091;G11C11/408
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,其中存储单元被分成多个存储体;高速缓存存储器,每一个用于存储通过行地址选择的字线的数据;设置寄存器,用于设置数据保持容量,以使得其中在自刷新周期期间保持数据的保持区域和其中在自刷新周期期间不保持数据的非保持区域被共同包括在每一个存储体中;刷新控制器,用于在自刷新周期期间以预定间隔输出待刷新的行地址和用于对激活的存储体中与行地址对应的所选字线执行刷新操作;以及存储体控制器,用于在当所选字线被包括在保持区域中时激活所有存储体,以及当所选字线被包括在非保持区域中时去激活所有存储体。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 半导体器件 存储系统 刷新 控制 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:存储单元阵列,其中布置在多个字线和多个位线之间的交叉处的存储单元被分成多个存储体;多个高速缓存存储器,连接到各个存储体并且每一个存储通过行地址选择的字线的数据;设置装置,用于设置所述存储单元阵列的数据保持容量,以使得其中在自刷新周期期间保持数据的保持区域和其中在自刷新周期期间不保持数据的非保持区域被共同包括在多个存储体的每一个中;刷新控制器,用于在自刷新周期期间以预定间隔依次输出待刷新的行地址,和用于对激活的存储体中与待刷新的行地址对应的所选字线执行刷新操作;以及存储体控制器,用于在以预定间隔执行的自刷新操作中,根据待刷新的行地址,分别在当所选字线被包括在保持区域中时激活所有多个存储体,以及当所选字线被包括在非保持区域中时去激活所有多个存储体。
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