[发明专利]连接结构、电光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710301184.5 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101211891A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 森胁稔 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/12;H01L21/768;H01L21/84;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及连接结构、电光装置及其制造方法，例如，对液晶装置中的开口率下降进行抑制。中继层(93)，从第2层间绝缘层(42)的上表面(42a)延伸于第2层间绝缘层(42)的端面(42b)及下部电容电极(71)的端面(71b)。中继层(93)，通过接触孔(85)而电连接于像素电极(9a)。即，下部电容电极(71)，与中继层(93)一起对高浓度漏区域(1e)及像素电极(9a)间的电连接进行中继。从而，若依照于液晶装置(1)，则可以使形成于非开口区域的下部电容电极(71)、与中继层(93)的连接区域变小，或完全消失。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 电光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种连接结构，其特征在于，具有：形成于基板上的第1导电膜；绝缘膜，其形成于前述第1导电膜上，具有面向前述第1导电膜的一个端面所面向之侧的其他端面；和第2导电膜，其从前述绝缘膜的上表面延伸于前述一个端面及前述其他端面地形成，通过前述一个端面，与前述第1导电膜相互电连接。
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