[发明专利]连接结构、电光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明，涉及例如相互电连接设置于绝缘层的上侧及下侧之各侧的导电膜的连接结构，及应用如此的连接结构而电连接像素电极及布线等的导电膜的电光装置，及其制造方法的技术领域。

背景技术

在作为这种电光装置之一例的液晶装置中，由ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)等的透明导电膜所构成的像素电极，通过接触孔电连接于形成于该像素电极的下层侧的中继层。在通过接触孔而对中继层及像素电极进行了电连接的情况下，存在难以扩大像素中的开口区域的技术性问题点。更具体地，因为例如为了对不透明的中继层及像素电极通过接触孔而进行电连接，中继层的一部分重叠于像素电极，所以像素之中可以使光实质性地进行透射的开口区域的面积由于中继层而变窄。并且，当在形成有遮挡理应对像素进行透射的光的布线、遮光膜、半导体元件等的非光透射要件的区域形成接触孔时，例如为了将要形成接触孔的绝缘层部分去除而需要确保考虑到2种掩模间的位置对准的裕量进行设计。从而，按确保裕量的量、像素中的非开口区域的比例变大，存在难以通过像素中的开口率(即，开口区域在像素中占的比例)上升而使显示性能提高的问题点。

作为用于解决如此的问题点的方法之一例，专利文献1，公开了能够将通过绝缘膜而形成于互不相同的层的2个导电图形以窄的区域进行连接的连接结构。

【专利文献1】特开平11-3938号公报

但是，若依照于公开于专利文献1的技术，则因为连接用导电膜延伸于比2个导电图形之中一方的导电图形靠下层侧的导电图形的上面，所以连接用导电膜的尺寸相应地增大。从而，由于下层侧的导电图形、连接用导电膜之中延伸于该导电图形的上面的部分占的面积而存在像素的开口区域变窄的问题点。

另一方面，在为了向像素电极供给图像信号而分别将设置于每个像素的像素开关用TFT的源区域及漏区域通过接触孔连接于数据线侧及像素电极侧的各布线部的情况下，相应于这些布线部的电位的差异，在这些布线部间产生耦合电容。由于产生于布线间的耦合电容，当电光装置工作时，存在使横向串扰等的显示不良发生的问题点。

发明内容

因而，本发明，鉴于例如上述的问题点所作出，目的在于提供能够提高开口率、可以进行高质量的图像显示的电光装置及其制造方法，以及可以应用于如此的电光装置的连接结构。

本发明的第1发明中的连接结构为了解决上述问题，具备：形成于基板上的第1导电膜；形成于前述第1导电膜上，具有面向前述第1导电膜的一个端面所面向之侧的其他端面的绝缘膜；和从前述绝缘膜的上表面延伸于前述一个端面及前述其他端面地形成，通过前述一个端面而与前述第1导电膜相互电连接的第2导电膜。

若依照于本发明的第1发明中的连接结构，则绝缘膜形成于第1导电膜上，向着第1导电膜的一个端面所面向之侧，绝缘膜的其他端面而面向。即，一个端面及其他端面，从绝缘膜及第1导电膜看面向相同侧。还有，其他端面，是为了与一个端面相区别而为了方便所采用的表达，是指绝缘膜的端面之中的面向第1导电膜的一个端面所面向之侧的端面。如此的一个端面及其他端面，既可以相互位于同一平面上，也可以为：其他端面以一个端面作为基准而向一个端面所面向之侧突出。若换言之，则一个端面，只要不是向着该一个端面所面向之侧从其他端面突出，即可。

第2导电膜，从绝缘膜的上表面延伸于一个端面及其他端面地形成。

更具体地，第2导电膜，作为连续性地延伸于沿相对于基板的基板面相交的方向延伸的一个端面及其他端面的导电膜所形成。第2导电膜，通过一个端面而与第1导电膜相互电连接。更具体地，在一个端面及其他端面处于相互延伸于同一平面上的位置关系的情况下，通过沿一个端面及其他端面延伸地形成第2导电膜，该第2导电膜接触于第1导电膜之中的一个端面。并且，在其他端面比一个端面向一个端面所面向之侧突出的情况下，第1导电膜之中的与第2导电膜相接触的部分仍是一个端面。

因为如此地与第1导电膜电连接的第2导电膜，从绝缘膜的上表面延伸于一个端面，所以通过绝缘膜而形成于互不相同的层的第1导电膜及第2导电膜通过一个端面相互电连接。

从而，若依照于本发明的第1发明中的连接结构，则与向着第1导电膜的一个端面所面向之侧而从绝缘膜突出第1导电膜、延伸于该第1导电膜的上表面地形成第2导电膜的情况相比较，能够按第1导电膜不从绝缘膜突出的量，减小包括第1导电膜及第2导电膜的连接区域的尺寸。