[发明专利]可修复半导体存储器件及其修复方法无效
| 申请号： | 200710300376.4 | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101241769A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 李炳勋;金起弘;李承源;金善券 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种可修复的半导体存储器件包括具有储存第一系统数据的第一块和储存与该第一系统数据相同的第二系统数据的第二块的存储单元阵列。控制器响应于从主机输出的重置信号将该第一系统数据传输给存储单元，它还根据由ECC检测块产生的失败检测信号将第二系统数据传输给该存储单元。该ECC检测块决定该第一系统数据是否有缺陷。当在重置半导体存储器件期间在该第一系统数据中产生缺陷时，通过提供第二系统数据修复该第一系统数据。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 半导体 存储 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种修复具有缺陷存储单元块的半导体存储器件的方法，包括：响应于来自控制器的重置信号将第一系统数据传输给存储单元；使用所述的控制器确定该第一系统数据是否有缺陷；根据由与所述控制器通信的ECC(纠错码)检测块产生的失败检测信号将与第一系统数据相同的第二系统数据传输给所述存储单元。
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