[发明专利]可修复半导体存储器件及其修复方法无效

专利信息
申请号: 200710300376.4 申请日: 2007-12-29
公开(公告)号: CN101241769A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 李炳勋;金起弘;李承源;金善券 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44;G11C29/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 修复 半导体 存储 器件 及其 方法
【说明书】:

相关申请的交叉引用

本申请要求于2007年2月8日申请的韩国专利申请号为10-2007-0013238的申请在35U.S.C§119下的优先权,其全文内容在此引入作为参考。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体存储器件。更具体地,本发明的实施例涉及可修复的半导体存储器件和修复该半导体存储器件的方法。

背景技术

非易失性半导体存储器件(例如,闪存器件)可以在甚至断电时保存数据。这类器件广泛地用作包含在侏儒PC、个人数字助理(PDA)、数字照相机、移动电话和MP3播放器之类的各种数字电子产品内的数据存储器件。这种非易失性半导体存储器件包括具有多个块的存储单元阵列,其每个块包括具有共享单一字线的存储单元的多个页。这些器件还包括冗余块。当在特定的存储块中检测到缺陷(制造中产生)时,该有缺陷的或坏的块被冗余块替代,这样就降低了生产缺陷率。在使用非易失性存储器件中产生的缺陷块被应用软件认定为缺陷块。然而,也存在特定区域的块不能被认定为缺陷块,但必须读出该块中存储的数据的情况。

图1是当存储在缺陷的或坏的存储块中的数据是引导数据(booting data)时,引导半导体存储器件的传统方法的流程图。当非易失性存储器件连接电子系统并被引导时,控制器(未示出)在步骤S10中响应重置信号(reset signal)(例如,冷重置信号)将储存在第一存储块中的引导数据复制到存储器(例如,引导存储器)中。在步骤S20中,纠错码(ECC)检测块(未示出)检测该引导数据是否具有缺陷。如果引导数据没有缺陷,电子系统在步骤S40中被重置并在步骤S50启动。当引导数据有缺陷时,半导体存储器件在步骤S30中被认为是故障的,因而产生引导失败(fail)。在这种情形下,由于步骤S10中储存在第一块中的引导数据复制到存储器的时间要早于电子系统重置的时间(即,电子系统的CPU启动重置操作的时间),电子系统不可能经由软件处理引导失败。与存储器件相关联的安全信息,例如生产日期、序列号等,通常只在一次编程(OTP)块中存入一次。如果OTP块是坏的或有缺陷的存储块,半导体存储器件可能由于在存储器件的操作中得不到安全信息而发生故障。

发明内容

本发明的示例实施例涉及可以通过用另一块替换引导期间产生的坏存储块而得以修复的半导体存储器。在示例实施例中,半导体存储器件包括存储单元阵列,其具有被配置来储存第一系统数据的第一块和被配置来储存与第一系统数据相同的第二系统数据的第二块。控制器与该存储单元阵列通信。该控制器被配置来响应于从主机输出的重置信号将第一系统数据传输给第一存储单元。ECC检测块与该存储单元阵列通信。该ECC检测块被配置来当第一系统数据有缺陷时,产生失败检测信号。该控制器进一步被配置来基于失败检测信号的接收将第二系统数据传输给第一存储单元。

在另一个示例实施例中,修复半导体存储器件的相关方法包括响应于来自控制器的重置信号将第一系统数据传输到存储单元中。由控制器确定该第一系统数据是否有缺陷。基于由ECC(纠错码)检测块产生的失败检测信号,产生与第一系统数据相同的第二系统数据给存储单元。

附图说明

图1是现有技术半导体存储器件的引导方法的流程图;

图2是根据本发明实施例的半导体存储器件的方块图;

图3是图1中显示的第一存储单元的方块图;

图4是根据本发明实施例的电子系统的示意图;

图5A-SJ描述具有图4中所示的电子系统的电子装置;

图6是根据本发明实施例的修复图2和图3中所示的半导体存储器件的方法的流程图;

图7是根据本发明另一个实施例的修复图2和图3中所示的半导体存储器件的方法的流程图。

具体实施方式

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