[发明专利]编程可编程电阻性存储单元的方法、装置及程序产品有效
| 申请号： | 200710199608.1 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202110A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开用于编程许多可编程电阻性存储单元的方法、系统以及计算机程序产品。该方法包含对每一存储单元执行下述步骤：读取存储单元的电阻值以及读取对应该存储单元的输入数据。该方法更进一步包含对每一存储单元执行下述步骤：假如该电阻值是在较高的电阻状态，且该输入数据对应至第一(设定)状态，编程该存储单元至低电阻(设定)状态，以及假如该电阻值是在较低的电阻状态，且该输入数据对应至第二(重置)状态，编程该存储单元至较高的电阻(重置)状态。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 可编程 电阻 存储 单元 方法 装置 程序 产品 | ||
【主权项】：
1.一种用于编程多个可编程电阻性存储单元的方法，其包含：在每一存储单元上执行下列步骤：(a)读取存储单元的电阻值；(b)读取对应至该存储单元的输入数据；(c)假如该电阻值是在较高电阻状态且该输入数据对应至第一状态，编程该存储单元至较低电阻状态；以及(d)假如该电阻值是在较低电阻状态且该输入数据对应至第二状态，编程该存储单元至较高电阻状态。
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