[发明专利]编程可编程电阻性存储单元的方法、装置及程序产品

权利要求书

1.一种用于编程多个可编程电阻性存储单元的方法，其包含：

在每一存储单元上执行下列步骤：

(a)读取存储单元的电阻值；

(b)读取对应至该存储单元的输入数据；

(c)假如该电阻值是在较高电阻状态且该输入数据对应至第一状态，编程该存储单元至较低电阻状态；以及

(d)假如该电阻值是在较低电阻状态且该输入数据对应至第二状态，编程该存储单元至较高电阻状态。

2.如权利要求1所述的方法，其中该(c)编程步骤发生在该(d)编程步骤之前。

3.如权利要求1所述的方法，其中该(a)读取步骤包含在一位址读取该存储单元的该电阻值，通过施加电压至连接至该存储单元的位线，以及施加电压至连接至存取元件的字线，该存取元件被连接至该存储单元。

4.如权利要求3所述的方法，其中该(b)读取步骤还包含自输入缓冲器读取输入数据以及评估该输入数据的值。

5.如权利要求4所述的方法，其中该(c)编程步骤还包含施加偏压至该位线与该字线以改变该存储单元至结晶、低电阻状态。

6.如权利要求5所述的方法，其中该(d)编程步骤还包含施加偏压至该位线与该字线以改变该存储单元至非晶、高电阻状态。

7.一种可编程电阻性存储器系统，其包含：

存储单元元件，其包含多个可编程电阻性存储单元；以及

控制器，用于编程该存储单元元件，该控制器被用以在每一存储单元上执行下列步骤：

(a)读取存储单元的电阻值；

(b)读取对应至该存储单元的输入数据；

(c)假如该电阻值是在较高电阻状态且该输入数据对应至第一状态，编程该存储单元至较低电阻状态；以及

(d)假如该电阻值是在较低电阻状态且该输入数据对应至第二状态，编程该存储单元至较高电阻状态。

8.如权利要求7所述的该可编程电阻性存储器系统，其中该(c)编程步骤发生在该(d)编程步骤之前。

9.如权利要求7所述的该可编程电阻性存储器系统，其中每一存储单元包含相变化材料。

10.如权利要求9所述的该可编程电阻性存储器系统，其中该相变化材料包含GST。

11.如权利要求7所述的该可编程电阻性存储器系统，其中每一存储单元连接至位线以及存取元件，且其中该存取元件连接至字线。

12.如权利要求11所述的该可编程电阻性存储器系统，其中该控制器电性连接每一存储单元的该位线以及该字线。

13.如权利要求12所述的该可编程电阻性存储器系统，其中该控制器包含电源，用以施加偏压至每一存储单元的该位线和该字线。

14.一种计算机程序产品，包含用于编程存储单元元件的计算机指令，该存储单元元件包含多个可编程电阻性存储单元，该计算机指令包含用以在每一存储单元执行下述操作的指令：

(a)读取存储单元的电阻值；

(b)读取对应至该存储单元的输入数据；

(c)假如该电阻值是在较高电阻状态且该输入数据对应至第一状态，编程该存储单元至较低电阻状态；以及

(d)假如该电阻值是在较低电阻状态且该输入数据对应至第二状态，编程该存储单元至较高电阻状态。

15.如权利要求14所述的计算机程序产品，其中该(c)编程步骤发生在该(d)编程步骤之前。

16.如权利要求14所述的计算机程序产品，其中该(a)读取步骤包含在一位址读取该存储单元的该电阻值，通过施加电压至连接至该存储单元的位线，以及施加电压至连接至存取元件的字线，该存取元件被连接至该存储单元。

17.如权利要求16所述的计算机程序产品，其中该(b)读取步骤包含自输入缓冲器接收输入数据以及评估该输入数据的值。

18.如权利要求17所述的计算机程序产品，其中该(c)编程步骤还包含施加偏压至该位线和该字线以改变该存储单元至结晶、低电阻状态。

19.权利要求18所述的计算机程序产品，其中该(d)编程步骤还包含施加偏压至该位线和该字线以改变该存储单元至非晶、高电阻状态。