[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法无效
| 申请号： | 200710199197.6 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101207136A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 玄在雄;朴奎灿;朴允童;金元柱;陈暎究;金锡必;赵庆来;李政勋;宋承桓 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L23/522;G11C16/10;G11C16/26;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;李友佳 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器装置，包括：至少一层半导体层；多个上控制栅电极，布置在至少一层半导体层的一部分的上方；多个下控制栅电极，布置在至少一层半导体层的一部分的下方，所述多个上控制栅电极和所述多个下控制栅电极交替地设置；多个上电荷存储层，置于至少一层半导体层和上控制栅电极之间；多个下电荷存储层，置于至少一层半导体层和下控制栅电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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