[发明专利]一种照明用LED芯片的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710192367.8 申请日: 2007-12-26
公开(公告)号: CN101197415A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 黄振春;陈岭;史智青;洪从胜;傅凡 申请(专利权)人: 江苏奥雷光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212009江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种照明用LED芯片的制造方法,用常用方法制作一个垂直通孔结构的LED芯片,该芯片的外延层包括第一类型限制层、活化层和第二类型限制层,在第一类型限制层上生长一个透明层,在透明层的表面对其进行蚀刻,形成棱状微透镜阵列,在外延层的四周蚀刻棱状微透镜阵列层和外延层,直至反射/欧姆/键合层的上表面暴露,在外圈形成一圈凹槽;在棱状微透镜阵列表面和凹槽内形成荧光粉层;将外延层切割成芯片封装,使用该芯片封装LED管时无需再涂荧光粉,可直接发白光,使封装过程大大简化,出光面从平面改为球面,可大大减少全反射损失,提高LED出光率,易集成和小型化。
搜索关键词: 一种 照明 led 芯片 制造 方法
【主权项】:
1.一种照明用LED芯片的制造方法,将外延层(6)、反射/欧姆/键合层(5)和金属化的硅支持衬底(2)用常用方法制作一个垂直通孔结构的LED芯片,该芯片的外延层(6)包括第一类型限制层(13)、活化层(14)和第二类型限制层(15),其特征是还依次包括如下步骤:(1)、在第一类型限制层(13)上生长一个透明层(16),透明层(16)的材料和第一类限制层(13)相同,或者是折射率等于或略低于第一类限制层(13)的透光材料;透明层(16)的厚度和半导体外延层(6)的厚度相近;(2)、在透明层(16)的表面对其进行蚀刻,形成棱状微透镜阵列(17),阵列中每个微透镜的直径为透明层(16)厚度的1~10倍;(3)、在外延层(6)的四周蚀刻棱状微透镜阵列层(17)和外延层(6),直至反射/欧姆/键合层(5)的上表面暴露,在外圈形成一圈凹槽(18);(4)、将荧光粉和树脂均匀混合在一起,用甩胶的方法使荧光粉和树脂的混合物均匀地敷在棱状微透镜阵列(17)和表面和凹槽(18)内,形成荧光粉层(19);(5)、将步骤(4)所制成的带棱状微透镜阵列(17)和荧光粉层(19)的外延层(6)切割成单颗芯片,封装成单颗的LED芯片,或者切割成包含多个芯片的芯片阵列再封装。
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