[发明专利]一种照明用LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种照明用LED芯片的制造方法，将外延层(6)、反射/欧姆/键合层(5)和金属化的硅支持衬底(2)用常用方法制作一个垂直通孔结构的LED芯片，该芯片的外延层(6)包括第一类型限制层(13)、活化层(14)和第二类型限制层(15)，其特征是还依次包括如下步骤：

(1)、在第一类型限制层(13)上生长一个透明层(16)，透明层(16)的材料和第一类限制层(13)相同，或者是折射率等于或略低于第一类限制层(13)的透光材料；透明层(16)的厚度和半导体外延层(6)的厚度相近；

(2)、在透明层(16)的表面对其进行蚀刻，形成棱状微透镜阵列(17)，阵列中每个微透镜的直径为透明层(16)厚度的1～10倍；

(3)、在外延层(6)的四周蚀刻棱状微透镜阵列层(17)和外延层(6)，直至反射/欧姆/键合层(5)的上表面暴露，在外圈形成一圈凹槽(18)；

(4)、将荧光粉和树脂均匀混合在一起，用甩胶的方法使荧光粉和树脂的混合物均匀地敷在棱状微透镜阵列(17)和表面和凹槽(18)内，形成荧光粉层(19)；

(5)、将步骤(4)所制成的带棱状微透镜阵列(17)和荧光粉层(19)的外延层(6)切割成单颗芯片，封装成单颗的LED芯片，或者切割成包含多个芯片的芯片阵列再封装。

2.根据权利要求1所述的一种照明用LED芯片的制造方法，其特征是：所述步骤(3)中凹槽(18)的宽度为W、高度为D，使W≥D/2。

3.根据权利要求1所述的一种照明用LED芯片的制造方法，其特征是：所述步骤(4)是在温度为100～150℃下使荧光粉和树脂的混合物固化，荧光粉层(19)的厚度是10～200微米。