[发明专利]运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法无效
| 申请号： | 200710188788.3 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101442091A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 许西岳 | 申请（专利权）人： | 优利科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是关于一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，其于晶圆片的全部P极与N极接触点覆盖遮蔽形成一由亲水性树酯材料所构成的遮蔽层，进而于晶圆片封装设有一含有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，再通过水洗制造工艺将该亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使P极与N极接触点可呈裸露，因此于通过切割与焊接金线等制造工艺后，即可形成一白光的发光二极管，运用此项水洗制造工艺，因P、N极接触点均呈裸露，故散热性佳，使用寿命更长，且金线不会断裂，并可避免出现光晕现象。 | ||
| 搜索关键词： | 运用 水洗 处理 制造 氮化 其它 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：将晶圆片上的全部P极与N极接触点，以亲水性树酯材料覆盖遮蔽而形成一遮蔽层，进而于晶圆片表面封装设有一含有荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，再通过水洗制造工艺而将亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使P极与N极接触点呈裸露，以供进行切割与焊接金线后续制造工艺，而形成一发光二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于优利科技股份有限公司，未经优利科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710188788.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电阻式应变片自动调阻机
- 下一篇：一种用錞于制成的打击乐器
