[发明专利]运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法

说明书

技术领域

本发明提供一种运用水洗制造工艺的氮化镓或其它类发光二极管制法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)发光二极管裸晶产生前的LED晶圆外延生长原理，在一加热至适温的衬底基片(蓝宝石和、SiC、Si)上，生长出特定单晶薄膜；目前主要是采用有机金属化学气相沉积方法(简称MOCVD)，该MOCVD方法是一项制备化合物半导体单品薄膜的技术，为使用于GaN(氮化镓)半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管裸晶的制造。

而现有可发白光的发光二极管(LED)，主要是在制造工艺中采用点胶方式，将含有选定为黄色(或红色与绿色混合)荧光物质的硅胶封装填满于发光二极管的裸晶，藉此以改变原本的蓝光而产生白光，但上述点胶制造工艺，其实并不适合大量生产，不仅人工成本高昂，其产品的不良率亦偏高，且会出现严重边缘黄色光晕现象。

上述现有点胶作业，因发光二极管的裸晶完全被封装填满，裸晶上P极与N极接触点(P-contact、N-contact)也同时被封裹，故发光时裸晶的高温不易散热，容易导致封装硅胶无法承受持久高温而发生变质脆化，不但亮度会降低，且在封装硅胶脆裂断开时，也同时会造成金线断离，为此，一般发光二极管都只能适于低温低功率使用，可惜亮度有限，使用寿命也较短，无法朝向高功率的照明设备去突破发展，实属美中不足。

发明内容

本发明的主要目的，乃在于提供一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，其使用亲水性树酯材料将一晶圆片上全部的P极与N极接触点(P-contact、N-contact)予以遮蔽(Mask)形成一可水洗剥离的的遮蔽层，进而于晶圆片封装设有一含有黄色(或以红色与绿色混合)或选定使用各种颜色混合之荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，通过水洗制造工艺将亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使P极与N极接触点裸露，并于通过切割与焊接金线等制造工艺后形成一可呈现白光的发光二极管，甚至进而制造各种颜色的发光二极管，运用此项水洗制造工艺，因P、N极接触点均呈裸露，故散热性佳，使用寿命更长。

本发明的次要目的，乃在于提供一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，其可选择以点胶、涂布、印刷或移印等各种方式，将亲水性树酯材料覆盖遮蔽于晶圆片上的全部P极与N极接触点而形成一可水洗剥离的遮蔽层，故非常适合大量生产实施，其成本低廉，产品良率高，且P极与N极接触点经水洗后呈裸露，因此散热性极佳，使用寿命更长，适合作为高功率高照明的光源使用。

本发明的又一目的，乃在于提供一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法，由于P极与N极接触点(P-contact、N-contact)并没有被含有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合物质层加以封裹，故不仅散热性佳，也不会发生变质脆化而造成金线断离，发光亦不会受到阻挡，因此亮度可有效提升，并避免出现严重边缘黄色光晕现象。

附图说明

图1为本发明的制造工艺示意图。

图2为晶圆片上的裸晶示意图。

图3为本发明于P极与N极接触点覆盖亲水性树酯材料而形成遮蔽层的状态示意图。

图4为本发明封装一含有荧光粉的高分子无机或有机化合物质层的状态示意图。

图5为本发明通过水洗将遮蔽层除去而使P极与N极接触点裸露的状态示意图。

图6为本发明在P极与N极接触点焊接金线的状态示意图。

具体实施方式

以下配合附图详细说明本发明的特征及优点：

如图1所示制造工艺，本发明所为“运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法”，主要是将一晶圆片上的全部P极与N极接触点(P-contact、N-contact)，以亲水性树酯材料覆盖遮蔽(Mask)而形成一遮蔽层，进而于晶圆片表面封装设有一含有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合物质层，再通过水洗制造工艺而将亲水性树酯材料的遮蔽层除去，使P极与N极接触点呈裸露，如此于通过切割与焊接金线等后续制造工艺，即可形成一白光的发光二极管，由于本发明运用水洗制造工艺，使P、N极接触点均全部裸露，故其散热性佳，使用寿命更长，且金线不会断裂，并可避免出现严重边缘黄色光晕现象。

图2显示本发明于晶圆片上每一裸晶的示意状态，为在GaN(氮化镓)或其它类半导体材料1上的每一裸晶均形成一P极接触点(P-contact)11及一N极接触点(N-contact)12，当然，在晶圆片切割前，该晶圆片上布满无数个裸晶。