[发明专利]等离子体的磁约束无效
| 申请号： | 200710187196.X | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101193490A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·C·香农;马斯奥·德雷克塞尔;詹姆斯·A·斯蒂妮特;应瑞;应晓;罗杰·A·林德利;马达斯·尤斯福 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/10 | 分类号： | H05H1/10;H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种约束等离子体的方法和装置。在本发明的一个实施方式中，用于约束等离子体的装置包括衬底架和形成磁场的器件，所述形成磁场的器件用于在处于靠近于至少衬底架上方的形成等离子体的第一区域和选择性限制等离子体的第二区域之间的边缘处形成磁场。该磁场具有垂直所需等离子体约束方向的b场部件以根据用于形成等离子体的工艺条件选择性限制等离子体的带电粒种从第一区域到第二区域的移动。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 约束 | ||
【主权项】：
1.一种用于约束等离子体的装置，其特征在于，包括：一衬底架；以及一磁场形成器件，用于在处于靠近于至少衬底架上方的形成等离子体的第一区域和选择性限制等离子体的第二区域之间的边缘处形成磁场，该磁场具有垂直于所需等离子体约束方向的b场部件以根据用于形成等离子体的工艺条件选择性限制等离子体的带电粒种从第一区域到第二区域的移动。
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