[发明专利]等离子体的磁约束

权利要求书

1.一种用于约束等离子体的装置，其特征在于，包括：

一衬底架；以及

一磁场形成器件，用于在处于靠近于至少衬底架上方的形成等离子体的第一区域和选择性限制等离子体的第二区域之间的边缘处形成磁场，该磁场具有垂直于所需等离子体约束方向的b场部件以根据用于形成等离子体的工艺条件选择性限制等离子体的带电粒种从第一区域到第二区域的移动。

2.一种用于磁场约束的装置，其特征在于，包括：

具有形成等离子体的第一区域及选择性限制等离子体的第二区域的工艺腔室；

设置在所述工艺腔室中的衬底架；

磁场形成器件，用于在第一和第二区域之间的边缘附近形成磁场，该磁场适用于限制在第一套工艺条件下形成的等离子体的带电粒种在所述第一区域和第二区域之间的移动，以及不约束在第二套工艺条件下形成的等离子体的带电粒种在第一和第二区域之间的移动。

3.根据权利要求1或2中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述磁场形成器件包括一个或多个电磁石。

4.根据权利要求1或2中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述磁场形成器件包括一个或多个永久磁铁。

5.根据权利要求1或2中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述磁场形成器件的设置在所述衬底架上或连接到衬底架上。

6.根据权利要求1或2中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述磁场形成器件在所述衬底架的侧面附近以及主要在所述衬底架的支撑表面下方形成磁场。

7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一区域包含处于所述衬底架的支撑表面上方的所述工艺腔室的上层区域，其中所述第二区域包含处于所述衬底架的支撑表面下方的所述工艺腔室的下层区域。

8.根据权利要求2或7中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述磁场形成器件包含多个磁铁，所述多个磁铁沿所述衬底架的侧面的至少第一圆周路径以及沿所述工艺腔室侧壁的侧面的第二圆周路径设置。

9.根据权利要求2或7中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述磁场形成器件包含多个磁铁，所述多个磁铁沿所述衬底架的侧面的至少两个相间隔的圆周路径设置。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述圆周路径相间隔在0.25和0.5英寸之间。

11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述磁铁的最上层部分设置在距离所述衬底架的支撑表面下方4英寸处。

12.根据权利要求2或7中的任意一项所述的装置，其特征在于，所述磁场形成器件适用于在处于所述衬底架的侧面和所述工艺腔室的壁之间的区域形成磁场。

13.根据权利要求2或7中的任意一项所述的装置，其特征在于，还包含：

放置在所述工艺腔室周围的一个或多个磁铁并配置为可以控制所述等离子体的特性。

14.一种用于约束等离子体的方法，包括：

提供具有形成等离子体的第一区域的工艺腔室和选择性限制所述等离子体的第二区域；以及

产生具有垂直于从第一区域到第二区域方向的b场组件的磁场，以及具有一结构以选择用于当在第一套工艺条件下形成等离子体时限制等离子体的带电粒种从所述第一区域到所述第二区域的移动以及在第二套工艺条件下形成等离子体时不限制等离子体的带电粒种从所述第一区域到所述第二区域移动。

15.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，还包含：

使用在所述第一套工艺条件下形成的等离子体执行第一工艺，从而限制所述等离子体的带电粒种的移动。

16.根据权利要求14所述的装置，其特征在于，还包含：

使用在所述第二套工艺条件下形成的等离子体执行第二工艺，从而不限制所述等离子体的带电粒种的移动。