[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了半导体装置。目的在于：在包括膜厚较厚的最上层布线的半导体装置中，防止在各晶体管的晶体管特性方面产生差异。该半导体装置包括形成在半导体衬底(101)的功率器件(Tr)；形成在半导体衬底(101)的多个晶体管(Tr1)、(Tr2)；形成在半导体衬底(101)上且覆盖功率器件(Tr)及多个晶体管(Tr1)、(Tr2)的第一绝缘膜(104)；形成在第一绝缘膜(104)上，由第二绝缘膜(107)(或者(115)、(123))、形成在第二绝缘膜(107)中的布线、和形成在第二绝缘膜(107)中的没有布线存在的区域的虚拟图案(111)(或者(119)、(126))构成的布线层；形成在布线层上，与功率器件电连接的最上层布线功率电极(129)；以及均匀地形成在布线层上的没有最上层布线(129)存在的区域的最上层虚拟图案(131)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于：包括：功率器件，形成在半导体衬底，多个晶体管，形成在上述半导体衬底，第一绝缘膜，形成在上述半导体衬底上，覆盖上述功率器件及上述多个晶体管，布线层，形成在上述第一绝缘膜上，由第二绝缘膜、形成在上述第二绝缘膜中的布线、和形成在上述第二绝缘膜中的没有上述布线存在的区域的虚拟图案构成，最上层布线功率电极，形成在上述布线层上，与上述功率器件电连接，以及最上层虚拟图案，均匀地形成在上述布线层上的没有上述最上层布线功率电极存在的区域中。